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MEDIO CONDUCTOR del diodo del puente rectificador, circuito IRS21091STRPBF del puente rectificador

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Conductor IC Non-Inverting 8-SOIC de la puerta del semipuente
Categoría:
Conductor ICs de la exhibición
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Alto-lado que flota voltaje absoluto:
-0,3 625
voltaje flotante de la compensación de la fuente del Alto-lado:
VB - 25 VB + 0,3
voltaje de salida flotante del Alto-lado:
CONTRA - 0,3 VB + 0,3
voltaje de fuente fijo del Bajo-lado y de la lógica:
-0,3 25
voltaje de salida del Bajo-lado:
-0,3 VCC + 0,3
Voltaje programable del perno del deadtime y del cierre:
VSS - 0,3 VCC + 0,3
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

IRS21091 PbF

CONDUCTOR DEL SEMIPUENTE

Características

· Canal de flotación diseñado para la operación del tirante

· Completamente - operativo a +600 V

· Tolerante al voltaje transitorio negativo, dV/dt inmune

· Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir de 10 V a 20 V

· Cierre del Undervoltage para ambos canales

· 3,3 lógica de la entrada de V, de 5 V, y de 15 V compatible

· lógica de la prevención de la Cruz-conducción

· Retraso de propagación hecho juego para ambos canales

· salida del Alto-lado en fase con EN la entrada

· Tierra de la lógica y del poder de +/- compensación 5 V

· Deadtime interno de 500 ns,

y hasta 5 µs programables con un resistor externo del RDT

· Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido

· La función dual DT/SD entró apaga ambos canales

· RoHS obediente

Descripción

El IRS21091 es un MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y el conductor de IGBT con alto dependiente y el bajo-lado referido hacen salir los canales. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica de 3,3 V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la configuración del alto-lado que actúa hasta 600 V.

Conexión típica

Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs