Diodos IC Chip BAS 85.135 de la electrónica del diodo de barrera de Schottky
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Diodos IC Chip BAS 85 de la electrónica del diodo de barrera de Schottky
Diodo de barrera de BAS85 Schottky
CARACTERÍSTICAS
• Voltaje delantero bajo
• Alto voltaje de avería
• Anillo de guardia protegido
• Pequeño paquete sellado herméticamente de SMD.
DESCRIPCIÓN
Diodo de barrera planar de Schottky con un anillo integrado de la protección contra descargas estáticas. Este diodo montado superficial se encapsula en un paquete de cristal sellado herméticamente de SOD80C SMD con los discos estañados del metal en cada extremo. Es conveniente para la “colocación automática” y como tal puede soportar soldar de la inmersión.
USOS
• Transferencia ultra de alta velocidad
• Fijación con abrazadera del voltaje
• Circuitos de protección
• Bloqueo de los diodos.
CONDICIONES DEL PARÁMETRO DEL SÍMBOLO
− MÁXIMO MÍNIMO 30 V del voltaje reverso continuo de la UNIDAD VR
SI − actual delantero continuo 200 mA
SI media (sistema de pesos americano) adelante actual VRWM = 25 V; a = 1,57; δ = 0,5;
nota 1; Fig.2 del − 200 del mA IFRM del pico ≤ actual repetidor 1 s del tp adelante; − 300 mA I del ≤ 0,5 del δ
Pico sin repetición del FSM adelante actual tp de = − 5 A 10 ms
°C de la temperatura de almacenamiento de Tstg −65 +150
°C del − 125 de la temperatura de empalme de Tj
Tamb que actúa el °C de la temperatura ambiente −65 +125
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | Max | UNIDAD |
| VF | Voltaje delantero |
SI =0.1mA SI =1mA SI =10mA SI =30mA SI =100mA |
240 320 400 500 800 |
milivoltio milivoltio milivoltio milivoltio milivoltio |
| IR | Vr=25V | 2,3 | UA | |
| Cd | capacitancia del diodo | f=1 megaciclo Vr=1V | 10 | PF |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC