Puente rectificador del diodo de silicio IC 6A10 6,0 amperios de capacidad de gran intensidad
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Puente rectificador del diodo de silicio IC 6A10 6,0 amperios de capacidad de gran intensidad
El VOLTAJE del RECTIFICADOR de SILICIO SE EXTIENDE 50 a 1000 voltios de 6,0 amperios ACTUALES
CARACTERÍSTICAS
* bajo costo
* salida baja
* caída de voltaje delantera baja
* capacidad de gran intensidad
* alta capacidad de la sobretensión
DATOS MECÁNICOS
* caso: Plástico moldeado
* epóxido: El dispositivo tiene clasificación 94V-O de la inflamabilidad de la UL
* ventaja: El método 208C de MIL-STD-202E garantizó
* posición de montaje: Ningunos
* peso: 2,08 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Grados en la temperatura ambiente de 25 o C salvo especificación de lo contrario. Monofásico, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas. Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.
GRADOS | SÍMBOLO | 6A05 | 6A1 | 6A2 | 6A4 | 6A6 | 6A8 | 6A10 | UNIDADES |
Voltaje reverso del pico periódico máximo | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
