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Diodo de transferencia de alta velocidad síncrono del diodo de rectificador BAV99

Diodo de transferencia de alta velocidad síncrono del diodo de rectificador BAV99
Diodo de transferencia de alta velocidad síncrono del diodo de rectificador BAV99
Diodo de transferencia de alta velocidad síncrono del diodo de rectificador BAV99
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 70
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T Western Union, Paypal
Especificaciones
Paquete:
3000PCS/Reel
Voltaje reverso:
75 V
Voltaje reverso del eak de P V:
100V
Rectificación actual (media), de media-onda rectificada con la carga resistente y herzios de f >=50:
150 mA
Capacitancia de empalme ypical de T t (Notes1):
4,0 PF
Recuperación reversa máxima (Notes2):
4,0 ns
Resistencia termal del aximum de M R:
357' C/W
Gama de temperaturas de almacenamiento:
-55 a +125
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Diodo de transferencia de alta velocidad síncrono del diodo de rectificador BAV99

BAL99, BAW56, BAV70, BAV99 EMERGEN VOLTAJE de los DIODOS de TRANSFERENCIA del SOPORTE 75 voltios 350 mWatts

CARACTERÍSTICAS

• Velocidad que cambia rápida.

• Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática

• Eléctricamente idéntico a JEDEC estándar

• Alta conductancia

DATOS MECÁNICOS

Caso: SOT-23, plástico

Terminales: Solderable por MIL-STD-202, método 208 aproximadamente.

Peso: 0,008 gramos

Marca: JF, JC, JA, JG

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Grados en la temperatura ambiente 25OC salvo especificación de lo contrario.

Monofásico, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas.

Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.

NOTA:

1. CJ en VR=0, f=1MHZ

2.From IF=10mA a IR=1mA, VR=6Volts, PARÁMETRO SY del PAQUETE SOT-23 del PODER de RL=100Ω

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