La placa de circuito del funcionamiento de ADT1-1WT-1+ salta la disipación de poder 0.5W
circuit board ic
,electronic components ic
Componentes de la electrónica de Chips Integrated Circuit Chip Power de la placa de circuito ADT1-1WT1
Funcionamiento obediente del grado 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 de la temperatura del flujo del pico de RoHS diseñado para los usos del teléfono o del interruptor del IP
LISTA COMÚN
C.I SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
C.I 74HC238D | 1640 | SOP-16 | |
C.I P8255A5 (no L8320146) | INTEL | L5171029 | DIP-40 |
C.I HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
NÚMERO DE SERIE DE C.I IBUTTON DS1990A-F5+ |
DALLAS | 1631 | BOTÓN |
C.I M27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
TRANSPORTE IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
C.I MC908MR16CFUE | FREESCAL | 1341 | LQFP-64 |
C.I 74HC245DB, 118 | 1619 | SSOP-20 | |
C.I MCP130T-315I/TT | MICROCHIP | PLEP | SOT23-3 |
DIODO RGF1M-E3/67A | VISHAY | RM/5B | SMA |
C.I 74HC244DB, 118 | 1418 | SSOP-20 | |
C.I 74LVC139D | 1213 | SOP-16 | |
C.I LD1086V33 | ST | 829/833 | TO-220 |
DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
S5M-E3/57T | VISHAY | el 1632/5M | SMC |
DIODO LED VSLB3940 | VISHAY | 10+ | DIP-2 |
MMBT3906LT1G | EN | 1642/2A | SOT-23 |
DIODO BAS16LT1G | EN SEMI | 1640/A6 | SOT-23 |
MBR3045CTP | DIODOS | 1024 | TO-220 |
GBU6M | VISHAY | 1510L | DIP-4 |
GBU608 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
SENSOR KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
C.I AD590KH | ANUNCIO | 1406 | CAN3 |
C.I ICL7660CBAZ | INTERSIL | V1608BA | SOP-8 |
C.I PC817C | SOSTENIDO | H41 | DIP-4 |
TRANSPORTE TIP127 (ROHS) | ST | 608 | TO-220 |
LOS 4N25M OPTOS | FSC | 645Q |
DIP-6 |
Característica
• desequilibrio excelente de la amplitud, 0,1 tipos del DB. y desequilibrio de la fase, 1 grado. tipo. en el ancho de banda 1dB
• lavable acuoso
• protegido bajo patente 6.133.525 de los E.E.U.U.
DESCRIPCIÓN
• el hacer juego de impedancia
• amplificador equilibrado
Grados máximos
Temperatura de funcionamiento | -20°C a 85°C |
Temperatura de almacenamiento | -55 °C a 100°C |
Poder del RF | 0.5W |
Corriente de DC | 30mA |