Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > La placa de circuito del funcionamiento de ADT1-1WT-1+ salta la disipación de poder 0.5W

La placa de circuito del funcionamiento de ADT1-1WT-1+ salta la disipación de poder 0.5W

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Balún 1MHz ~ 400MHz 75/75Ohm 6-SMD, ventajas planas del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Especificaciones
Corriente delantera continua:
30mA
Disipación de poder:
0.5W
Transmisor-receptor:
5V
Temperatura (TJ):
-55°C -- 100°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Paquete:
DIP-6
Punto culminante:

circuit board ic

,

electronic components ic

Introducción

Componentes de la electrónica de Chips Integrated Circuit Chip Power de la placa de circuito ADT1-1WT1

Funcionamiento obediente del grado 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 de la temperatura del flujo del pico de RoHS diseñado para los usos del teléfono o del interruptor del IP

LISTA COMÚN

C.I SN74LS244N TI 64AH70K/5ACCLLK DIP-20
C.I 74HC238D 1640 SOP-16
C.I P8255A5 (no L8320146) INTEL L5171029 DIP-40
C.I HEF4051BT 1622+ SOP-16
NÚMERO DE SERIE DE C.I
IBUTTON DS1990A-F5+
DALLAS 1631 BOTÓN
C.I M27C2001-10F1 ST 1211K CDIP 32
TRANSPORTE IRF540NPBF IR P632D TO-220
TRIAC BT151-500R PJA603 TO-220
C.I MC908MR16CFUE FREESCAL 1341 LQFP-64
C.I 74HC245DB, 118 1619 SSOP-20
C.I MCP130T-315I/TT MICROCHIP PLEP SOT23-3
DIODO RGF1M-E3/67A VISHAY RM/5B SMA
C.I 74HC244DB, 118 1418 SSOP-20
C.I 74LVC139D 1213 SOP-16
C.I LD1086V33 ST 829/833 TO-220
DIODO TPD4E001DBVR TI NFY5 SOT23-6
TRIAC BT151-500R PJA603 TO-220
S5M-E3/57T VISHAY el 1632/5M SMC
DIODO LED VSLB3940 VISHAY 10+ DIP-2
MMBT3906LT1G EN 1642/2A SOT-23
DIODO BAS16LT1G EN SEMI 1640/A6 SOT-23
MBR3045CTP DIODOS 1024 TO-220
GBU6M VISHAY 1510L DIP-4
GBU608 SEPT 16+ DIP-4
SENSOR KTY11-6
Q62705-K246
T6/S76 TO-92
C.I AD590KH ANUNCIO 1406 CAN3
C.I ICL7660CBAZ INTERSIL V1608BA SOP-8
C.I PC817C SOSTENIDO H41 DIP-4
TRANSPORTE TIP127 (ROHS) ST 608 TO-220
LOS 4N25M OPTOS FSC 645Q

DIP-6

Característica

• desequilibrio excelente de la amplitud, 0,1 tipos del DB. y desequilibrio de la fase, 1 grado. tipo. en el ancho de banda 1dB

• lavable acuoso

• protegido bajo patente 6.133.525 de los E.E.U.U.

DESCRIPCIÓN

• el hacer juego de impedancia

• amplificador equilibrado

Grados máximos

Temperatura de funcionamiento -20°C a 85°C
Temperatura de almacenamiento -55 °C a 100°C
Poder del RF 0.5W
Corriente de DC 30mA

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs