Proveedor programable de MIC4423YM SOP-8 IC Chips Electronics China Golden IC

MIC4423YM

Conductor dual del MOSFET del Bajo-lado 3A-Peak

Descripción general

La familia MIC4423/4424/4425 es conductores altamente confiables del almacenador intermediario/driver/MOSFET de BiCMOS/DMOS. Son versiones actuales de alto rendimiento de los MIC4426/4427/4428, que son versiones mejoradas del MIC426/427/428. Las tres familias son perno-compatibles. Los conductores MIC4423/4424/4425 son capaces de dar servicio confiable en exigir ambientes eléctricos que sus precursores. No trabarán bajo ninguna condiciones dentro de sus grados del poder y del voltaje. Pueden sobrevivir hasta 5V del ruido que clava, de cualquier polaridad, en el perno de tierra. Pueden aceptar, sin daño o trastorno de la lógica, hasta mitad de un amperio de la corriente reversa (tampoco polaridad) forzado nuevamente dentro de sus salidas. Los conductores de la serie MIC4423/4424/4425 son más fáciles de utilizar, un en funcionamiento más flexible, y perdonando que otro Cmos o conductores bipolares actualmente disponibles. Su construcción de BiCMOS/DMOS disipa poder mínimo y proporciona oscilaciones del voltaje del carril-torail. Previsto sobre todo para los MOSFETs del poder de conducción, los conductores MIC4423/4424/4425 son convenientes para conducir otras cargas (capacitivo, resistente, o inductivo) que requieran corrientes máximas de baja impedancia, altas, y épocas que cambian rápidas. Las líneas pesadamente cargadas del reloj, los cables coaxiales, o los transductores piezoeléctricos son algunos ejemplos. La única limitación sabida en el cargamento es que el poder total disipado en el conductor se debe guardar dentro de los límites máximos de la disipación de poder del paquete

Características

• Construcción confiable, de baja potencia de bipolar/CMOS/DMOS

• Cierre-para arriba protegido a la corriente del revés de >500mA

• La entrada de la lógica soporta el oscilación – a 5V

• Alta corriente de salida 3A-peak

• 4.5V ancho al rango de operación 18V

• Capacitancia de las impulsiones 1800pF en 25ns

• Cortocircuito <40ns typical="" delay="" time="">

• Tiempos de retraso constantes con en el cambio del voltaje de fuente

• Subida y tiempos de caída hechos juego

• Independiente de la entrada de la lógica de TTL del voltaje de fuente

• Capacitancia equivalente baja de la entrada 6pF

• La fuente baja 3.5mA actual con logic-1 entró 350µA con la entrada logic-0

• Impedancia de salida típica baja 3.5Ω

• Oscilaciones del voltaje de salida dentro de 25mV de la tierra o CONTRA.

• ‘426/7/8-, ‘1426/7/8-, ‘pinout 4426/7/8-compatible

• Invirtiendo, noninverting, y configuraciones diferenciadas

Grados máximos absolutos (nota 1)

Voltaje de fuente ........................................................... +22V

Voltaje entrado .................................. CONTRA + 0.3V a la tierra – 5V

Temperatura de empalme ................................................ 150°C

Gama de temperaturas ...................... – 65°C de almacenamiento a 150°C

Temperatura de la ventaja (10 sec.) ...................................... 300°C

ESD Susceptability, nota 3 ..................................... 1000V

Grados de funcionamiento (nota 2)

Voltaje de fuente (CONTRA) ...................................... +4.5V a +18V

Versión .................................................... 0°C de la gama de temperaturas C a +70°C

Versión ................................................ – 40°C de B a +85°C

ΘJA ............................................................. 130°C/W de la INMERSIÓN de la resistencia termal del paquete

ΘJC ............................................................... 42°C/W de la INMERSIÓN

ΘJA ancho-SOIC ................................................. 120°C/W

ΘJC ancho-SOIC ................................................... 75°C/W

ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC

ΘJC ............................................................ 75°C/W de SOIC

Una parte de la lista común