74AUP1G157GW, 125 chip CI del multiplexor de la entrada del poder 2 de Chips Low de la placa de circuito
electronic chip board
,electronic components ic
1. Descripción general
El 74AUP1G157 es un de alto rendimiento, de baja potencia, de baja tensión, dispositivo de la Si-puerta Cmos, superior a la mayoría de las familias compatibles avanzadas del Cmos TTL. La acción del disparador de Schmitt en todas las entradas hace el circuito tolerante a una subida de la entrada y a tiempos de caída más lentos a través de la gama entera VCC a partir de 0,8 V a 3,6 V.
Este dispositivo asegura un consumo de energía estático y dinámico muy bajo a través de la gama entera VCC a partir de 0,8 V a 3,6 V. Este dispositivo se especifica completamente para los usos parciales del poder-abajo usando IOFF.
El conjunto de circuitos de IOFF inhabilita la salida, previniendo la expulsión perjudicial actual a través del dispositivo cuando se acciona abajo.
El 74AUP1G157 es un solo multiplexor de 2 entradas que los datos selectos a partir de dos entradas de datos (I0 e I1) bajo control de una entrada selecta de los datos comunes (s).
El estado de la entrada selecta de los datos comunes determina el registro particular del cual los datos vienen. La salida (y) presenta los datos seleccionados en la forma (no-invertida) verdadera.
2. Características
■Gama ancha del voltaje de fuente a partir de 0,8 V a 3,6 V
■Alta inmunidad de ruido
■Cumple con estándares de JEDEC:
◆JESD8-12 (0,8 V 1,3 V) al ◆ JESD8-11 (0,9 V a V) 1,65
◆JESD8-7 (1,2 V V) 1,95 al ◆ JESD8-5 (1,8 V a 2,7 V)
◆JESD8-B (2,7 V a 3,6 V)
■Protección del ESD:
◆La clase 3A de HBM JESD22-A114-D excede 4000 V
◆El milímetro JESD22-A115-A excede 200 V
◆CDM JESD22-C101-C excede 1000 V
■Consumo de energía estático bajo; ICC = 0,9 µA (máximo)
■El funcionamiento del cierre-para arriba excede 100 mA por clase de JESD 78 II
■Las entradas aceptan voltajes hasta 3,6 V
■De poco ruido llegue más allá y aterrizaje corto < 10="">
■El conjunto de circuitos de IOFF proporciona la operación parcial del modo del poder-abajo
■Opciones múltiples del paquete
■Especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125
Una parte de la lista común
| CASQUILLO 0402 100NF 16V X7R CL05B104KO5NNNC | SAMSUNG | AC4J02C | SMD0402 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1613/GDE | SMC |
| INDUTOR 0805 220R BLM21PG221SN1L | MURATA | AM6127681 | SMD0805 |
| RES 0R el 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0805 |
| RES 0402 0R el 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1612 | SMD0402 |
| RES 0402 100K el 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1614 | SMD0402 |
| RES 2512 0R22 el 1% RL2512FK-070R22L |
YAGEO | 1614 | SMD2512 |
| TRANSPORTE NDT452AP | FSC | DH42AD | SOT-223 |
| FUSIVEL 30R250UU | LITTELFUSEI | 16/03/25/30/250U/P03L | DIP-2 |
| DIODO MBR20200CTG | EN | NSD618 | TO-220 |
| CI TL431CDBZR | TI | T3CU | SOT-23 |
| Transporte. BC817-25 | 1412/6BW | SOT-23 | |
| C.I LM35DZ | TI | 620K9 | TO-92 |
| CASQUILLO 100NF 100V el 5% CL21B104JCCNNNC | SAMSUNG | AC3L01F | SMD0805 |
| CASQUILLO 100NF 50V el 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | AC1N08K | SMD0805 |
| RES 0805 3K3 el 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1615 | SMD0805 |
| DIODO ES1D-E3-61T | VISHAY | 1423/ED | SMA |
| C.I DAC 5571IDBVT | TI | D571 | SOT23-6 |
| C.I AME1085ACDT3 | AME | 36 | TO-263 |
| C.I LPC1788FBD208,551 | 1549 | LQFP-208 | |
| C.I MC34063EBD-TR | ST | E9812 | SOP-8 |
| C.I 74HC244DB, 118 | 1418 | SSOP-20 | |
| DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFYF | SOT23-6 |
| C.I BD9781HFP-TR | ROHM | 807/808 | TO-263 |
| RELE G8P-1A4P-DC12 | OMRON | 29X5C1 | INMERSIÓN |
| OPTOACOPLADOR VOM617A-3T | VISHAY | V442 | SOP-4 |
| Transporte. FDS6699S | FSC | PG9AF | SOP-8 |
| CI M24C04-WMN6TP | ST | K314S | SOP-8 |
| CI LP2951-50DR | TI | KY5150/61MADTT | SOP-8 |
| DIODO VESD05-02V-G-08MEPC | VISHAY | VC | SOD523 |
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