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Hogar > productos > Chips de circuito integrado > Entrada NI puerta del triple 3 capacidad de alta velocidad de la salida de los dispositivos de la Si-puerta Cmos 74HC27D, 653

Entrada NI puerta del triple 3 capacidad de alta velocidad de la salida de los dispositivos de la Si-puerta Cmos 74HC27D, 653

Entrada NI puerta del triple 3 capacidad de alta velocidad de la salida de los dispositivos de la Si-puerta Cmos 74HC27D, 653
Entrada NI puerta del triple 3 capacidad de alta velocidad de la salida de los dispositivos de la Si-puerta Cmos 74HC27D, 653
fabricante:
Fabricante
Descripción:
NI canal 14-SO de IC 3 de la puerta
Categoría:
Chips de circuito integrado
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de almacenamiento:
°C -55 a +150
Temperatura de funcionamiento:
°C -55 a +100
Temperatura de la soldadura de la onda (véase la página 14 para los perfiles de la soldadura del flu:
260 para el °C de 10 sec
La disipación de poder total del dispositivo @ TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C:
250 mW
DC/Average adelante entró actual:
100 (no--m), 60 (- M) mA
Punto culminante:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introducción

Entrada NI puerta 74HC/HCT27 del triple 3

CARACTERÍSTICAS

• Capacidad de la salida: estándar

• Categoría ICC: SSI

DESCRIPCIÓN GENERAL

Los 74HC/HCT27 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno compatible con la energía baja Schottky TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con no. estándar 7A de JEDEC. Los 74HC/HCT27 proporcionan los 3 entrada NI función.

Notas

1. El CPD se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (paladio en µW): × del × VCC2 del paladio = del CPD fi + ∑ (× FO del × VCC2 del CL) dónde: frecuencia del fi = de la entrada en el megaciclo frecuencia de las FO = de la salida en el ∑ del megaciclo (× FO del × VCC2 del CL) = suma de capacitancia de la carga del CL = de la salida de las salidas en PF VCC = voltaje de fuente en V

2. Para HC la condición es VI = tierra a VCC para HCT que la condición es VI = tierra VCC al − 1,5 V

SÍMBOLO PARÁMETRO CONDICIONES

TÍPICO

 UNIDAD
HC HCT
tPLH de tPHL/ nA del retraso de propagación, NOTA, nC al nY CL = 15 PF; VCC = 5 V 8 10 ns
Ci capacitancia de la entrada 3,5 3,5 PF
CPD capacitancia de la disipación de poder por la puerta notas 1 y 2 24 30 PF

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