Circuito integrado nuevo y original Chip Microprocessor Supervisory Circuits ADM691AARNZ

Circuitos de supervisión del microprocesador
ADM691A/ADM693A/ADM800L/M

CARACTERÍSTICAS BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONAL
Bajo consumo de energía:
Monitor de voltaje de la precisión
Tolerancia del ±2% en ADM800L/M
Ms del tiempo Delay-200 del reset, o ajustable
1 corriente del recurso seguro del µA
Transferencia automática del poder de la copia de seguridad de batería
El bloquear a bordo rápido de Chip Enable Signals
También disponible en el paquete de TSSOP (ADM691A)

USOS
Sistemas del microprocesador
Ordenadores
Reguladores
Instrumentos inteligentes
Sistemas automotrices C
el µP ritical acciona la supervisión


DESCRIPCIÓN GENERAL
La familia de ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M de ofertas de supervisión de los circuitos termina las solas soluciones del microprocesador para las funciones de control de la supervisión y de la batería de la fuente de alimentación en sistemas del microprocesador. Estas funciones incluyen el reset del µP, intercambio de la copia de seguridad-batería,
reloj de vigilancia, Cmos RAM escribir la protección, y
advertencia del poder-fracaso. La familia de productos proporciona una mejora para la familia de MAX691A/93A/800M de productos.

Todas las piezas están disponibles en la INMERSIÓN y TAN paquetes de 16 pernos. El ADM691A está también disponible en un paquete del ahorro de espacio TSSOP. Se proporciona la función siguiente:

1. Poder-en reajuste la salida durante ciclo inicial, las condiciones del poder-abajo y del apagón. El conjunto de circuitos sigue siendo operativo con VCC tan bajo como 1 V.

2. transferencia de la copia de seguridad de batería para el microprocesador del Cmos RAM, del Cmos o la otra lógica de la energía baja.

3. A reajustó pulso si el reloj de vigilancia opcional no se ha conectado dentro de un tiempo especificado.

4. Un detector del umbral de 1,25 V para la advertencia del fall del poder, la detección baja de la batería, o supervisar una fuente de alimentación otra
que +5 V.


RATINGS* MÁXIMO ABSOLUTO
(TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
VCC…………………………… – 0,3 V a +6 V
VBATT…………………………. – 0,3 V a +6 V
El resto de las entradas……………. – 0,3 V a VOUT + 0,5 V
Corriente entrada
VCC (pico)…………………………. 1000 mA
VCC (continuo)……………………… 250 mA
VBATT (pico)………………………… 250 mA
VBATT (continuo)……………………. 25 mA
Tierra, batería ENCENDIDO………………………… 100 mA
Corriente de salida de Digitaces……………………… 25 mA
Disipación de poder, N-16 INMERSIÓN………………… 842 mW
impedancia termal del θϑA…………………. 135°C/W
Disipación de poder, R-16 estrecho SOIC…………. 700 mW
impedancia termal…………………… .110°W del θJA
Disipación de poder, R-16 SOIC ancho……………. 762 mW
impedancia termal del θJA……………………. 110°C/W
Disipación de poder, RU-16 TSSOP……………… 500 mW
impedancia termal del θJA……………………. 158°C/W
Gama de temperaturas de funcionamiento
(Versión de A)…………………… – 40°C industrial a +85°C
Temperatura de la ventaja (el soldar, sec 10)………. V.… +300°C
Fase de vapor (sec 60)…………………………. 215°C
Infrarrojo (sec 15)……………………………. +220°C
Gama de temperaturas……………… – 65°C de almacenamiento a +150°C

los *Stresses sobre ésos enumerados bajo “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un grado de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos enumerados en las secciones operativas de esta especificación no se implica. La exposición a los grados máximos absolutos por periodos de tiempo extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

GUÍA QUE ORDENA