Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Chips IC programables Color TV Ic Memoria Flash Chip Rectificador Diodo

MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Chips IC programables Color TV Ic Memoria Flash Chip Rectificador Diodo

MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Chips IC programables Color TV Ic Memoria Flash Chip Rectificador Diodo
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Chips IC programables Color TV Ic Memoria Flash Chip Rectificador Diodo
fabricante:
Fabricante
Descripción:
SDRAM - La memoria móvil IC 512Mbit de LPDDR es paralelo a 166 megaciclos 5 ns 60-VFBGA (8x9)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
– 40°C a +85°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
0.3V a 6V
Actual:
QFN
Paquete:
TO-220
Paquete de la fábrica:
Carrete
Punto culminante:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Introducción

MT46H32M16LFBF-6IT-C Programa ic chip Color TV Ic Memoria Flash Chip Rectificador Diodo
Velocidad de datos móvil doble (DDR) SDRAM MT46H32M16LF – 8 Meg x 16 x 4 bancos MT46H16M32LF – 4 Meg x 32 x 4 bancos
 
 
CARACTERÍSTICAS:

• VDD = +1,8 V ±0,1 V, VDDQ = +1,8 V ±0,1 V

• Luz estroboscópica bidireccional de datos por byte de datos (DQS)

• Arquitectura de velocidad de datos doble (DDR) interna canalizada;dos accesos de datos por ciclo de reloj

• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)

• Comandos ingresados ​​en cada flanco positivo de CK

• DQS borde alineado con datos para READ;alineado al centro con datos para ESCRITURAS

• Cuatro bancos internos para operación concurrente

• Máscaras de datos (DM) para enmascarar datos de escritura: una máscara por byte

• Longitudes de ráfaga programables: 2, 4, 8, 16 o página completa

• Se admite la opción de precarga automática simultánea

• Modos de actualización automática y actualización automática

• Entradas compatibles con LVCMOS de 1,8 V

• Sensor de temperatura en el chip para controlar la frecuencia de actualización

• Actualización automática de matriz parcial (PASR)

• Apagado profundo (DPD)

• Unidad de salida seleccionable (DS)

• Capacidad de parada de reloj


Opciones                                                 Calificación

• VDD/VDDQ

• 1,8 V/1,8 V H

• Configuración

• 32 Megas x 16 (8 Megas x 16 x 4 bancos) 32M16

• 16 Megas x 32 (4 Megas x 32 x 4 bancos) 16M32

• Paquete de plástico

• VFBGA1 de 60 bolas por determinar

• VFBGA 2 de 90 bolas

• Temporización - Tiempo de ciclo

• 6ns @ CL = 3 -6

• 7.5ns @ CL = 3 -75

• 10ns @ CL = 3 -10

• Rango de temperatura de funcionamiento

• Comercial (0° a +70°C)

• Industrial (-40 °C a +85 °C) Ninguno TI
   

CALIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1)

Voltaje de suministro (VIN) ..........................................–0.3V a 6V
Voltaje de bandera de falla (VFLG) ........................................... ..+6V
Corriente de bandera de falla (IFLG) ........................................... .25mA
Voltaje de salida (VSAL).................................................. ......+6V
Corriente de salida (IOUT) .............................. Entrada de habilitación limitada internamente (IEN)....... .............................. –0.3V a VIN +3V
Temperatura de almacenamiento (TS) ........... -65 °C a +150 °C
Voltaje de suministro (VIN) ................................ +2,7 V a +5,5 V
Temperatura ambiente (TA) .......................... –40 °C a +85 °C
Temperatura de la unión (TJ) ...................... Internamente limitada
Resistencia Térmica SOP (θJA) .................................................. ..............160°C/W
MSOP(θJA) ............................................... ..........206°C/W

 
 

TRANS BC847BLT1 18000 EN PORCELANA
RC0805JR-0710KL 35000 YAGEO PORCELANA
RC0805JR-071KL 20000 YAGEO PORCELANA
DIODO DF06S 3000 SEP PORCELANA
TAPA 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB 20000 TDK JAPÓN
DIODO US1A-13-F 50000 DIODOS MALASIA
INDUTOR.100UH SLF7045T-101MR50-PF 10000 TDK JAPÓN
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL 500000 YAGEO PORCELANA
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML 500000 YAGEO PORCELANA
DIODO P6KE180A 10000 VISHAY MALASIA
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL 500000 YAGEO PORCELANA
MUNICIÓN DIODO UF4007 500000 MICRÓFONO PORCELANA
TRANS.ZXMN10A09KTC 20000 ZETEX TAIWÁN
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L		 500000 YAGEO PORCELANA
ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 10000 LITE-ON TAIWÁN
TRANS MMBT2907A-7-F 30000 DIODOS MALASIA
TRANS STGW20NC60VD 1000 CALLE MALASIA
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB 500 TI TAILANDIA
CI MC33298DW 1000 AGUDEZA MALASIA
CI MC908MR16CFUE 840 FREESCAL MALASIA
CI P8255A5 4500 INTEL JAPÓN
CI HM6116P-2 5000 HITACHI JAPÓN
CI DS1230Y-150 2400 DALLAS FILIPINAS
TRANS.ZXMN10A09KTC 18000 ZETEX TAIWÁN
TRIAC BT151-500R 500000 MARRUECOS
CI HCNR200-000E 1000 AVAGO TAIWÁN
TRIAC TIC116M 10000 TI TAILANDIA
DIODO US1M-E3/61T 18000 VISHAY MALASIA
DIODO ES1D-E3-61T 18000 VISHAY MALASIA
CI MC908MR16CFUE 840 FREESCAL TAIWÁN
CICD40106BE 250 TI TAILANDIA
ACOPLADOR PC733H 1000 AFILADO JAPÓN
TRANS NDT452AP 5200 FSC MALASIA
CI LP2951-50DR 1200 TI TAILANDIA
CI MC7809CD2TR4G 1200 EN MALASIA
DIODO MBR20200CTG 22000 EN MALASIA
FUSIVEL 30R300UU 10000 LITTELFUSEI TAIWÁN
CI TPIC6595N 10000 TI TAILANDIA
EPM7064STC44-10N 100 ALTERA MALASIA
DIODO 1N4004-T 5000000 MICRÓFONO PORCELANA
CICD4060BM 500 TI TAILANDIA
ACOPLADOR MOC3020M 500 FSC MALASIA
DIODO W08 500 SEP PORCELANA
CI SN74HC373N 1000 TI FILIPINAS
FOTOSENSOR 2SS52M 500 cariño JAPÓN
CI SN74HC02N 1000 TI TAILANDIA
CICD4585BE 250 TI TAILANDIA
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C 40 MICRÓN MALASIA
DIODO MMSZ5242BT1G 30000 EN MALASIA

 

 

PRODUCTOS RELACIONADOS
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.