Chips CI de programación M29W640FB70N6E de 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página, bloque de arranque), memoria Flash de suministro de 3V
programming ic chips
,programmable audio chip
Chips CI de programación M29W640FB, 64 Mbit (8 Mb x8 o 4 Mb x16, página, bloque de arranque), memoria Flash de suministro de 3V
Resumen de características
• Voltaje de suministro
– V.CC= 2.7V a 3.6V para Programar, Borrar, Leer
– V.PÁGINAS=12 V para programa rápido (opcional)
• Lectura asincrónica aleatoria/de página
– Ancho de página: 4 palabras
– Acceso a la página: 25ns
– Acceso aleatorio: 60ns, 70ns
• Tiempo de programación
– 10 µs por byte/palabra típico
– Programa de 4 palabras/8 bytes
• 135 bloques de memoria
– 1 bloque de inicio y 7 bloques de parámetros, 8 KBytes cada uno (ubicación superior o inferior)
– 127 bloques principales, 64 KBytes cada uno
• Controlador de programa/borrado
– Algoritmos de programa de byte/palabra incorporados
• Programar/Borrar Suspender y Reanudar
– Leer desde cualquier bloque durante la suspensión del programa
– Leer y programar otro bloque durante la suspensión de borrado
• Comando Desbloquear programa de omisión
– Producción más rápida/programación por lotes
• VPÁGINASPin /WP para programa rápido y protección contra escritura
• Modo de desprotección de bloqueo temporal
• Interfaz flash común
– Código de seguridad de 64 bits
• Bloque de memoria extendida
– Bloque extra utilizado como bloque de seguridad o para almacenar información adicional
• Bajo consumo de energía
– Modo de espera y Modo de espera automático
• 100.000 ciclos de Programación/Borrado por bloque
• Firma electronica
– Código Fabricante: 0020h
Calificación máxima
Esforzar el dispositivo por encima de la clasificación enumerada en la tabla de clasificaciones máximas absolutas puede causar daños permanentes al dispositivo.La exposición a condiciones de clasificación máxima absoluta durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.Estas son solo clasificaciones de tensión y no se implica el funcionamiento del dispositivo en estas o en cualquier otra condición superior a las indicadas en las secciones de funcionamiento de esta especificación.Consulte también el Programa SURE de STMicroelectronics y otros documentos de calidad relevantes.
Índices absolutos máximos
| Símbolo | Parámetro | mínimo | máx. | Unidad |
| TINCLINACIÓN | Temperatura bajo sesgo | –50 | 125 | ºC |
| TSTG | Temperatura de almacenamiento | -sesenta y cinco | 150 | ºC |
| VIO | Voltaje de entrada o salida(1)(2) | –0.6 | VCC+0.6 | V |
| VCC | Voltaje de suministro | –0.6 | 4 | V |
| VIDENTIFICACIÓN | Tensión de identificación | –0.6 | 13.5 | V |
| VPÁGINAS (3) | Voltaje del programa | –0.6 | 13.5 | V |
1. El voltaje mínimo puede llegar a ser inferior a –2 V durante la transición y por menos de 20 ns durante las transiciones.
2. El voltaje máximo puede sobrepasar VCC +2 V durante la transición y por menos de 20 ns durante las transiciones.
3. V.PÁGINASno debe permanecer en 12V por más de un total de 80hrs.
Paquetes
Diagrama de lógica
Conexiones TSOP
Conexiones TFBGA48(Vista superior a través del paquete)
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485