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XC4VSX55-10FF1148I Chips IC programables Plataforma Flash Configuración programable en el sistema PROMS

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Arsenal de puerta programable del campo de Virtex®-4 SX (FPGA) IC 640 5898240 55296 1148-BBGA, FCBGA
Categoría:
Chips de circuito integrado
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente de la entrada-salida en relación con la tierra:
– 0,5 a +4,0 V
Voltaje de fuente de la entrada-salida de JTAG en relación con la tierra:
– 0,5 a +4,0 V
Temperatura de almacenamiento (ambiente):
– °C 65 a +150
TEMPERATURA DE EMPALME:
°C +125
Temperatura industrial:
– 40°C a +85°C
Voltaje de fuente de XCF01S/XCF02S/XCF04S:
3.3V
Punto culminante:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Introducción

 

Plataforma Flash PROMS de configuración programable en el sistema

 

 

Características

• PROM programables en el sistema para la configuración de FPGA de Xilinx

• Proceso CMOS NOR FLASH avanzado de bajo consumo

• Resistencia de 20,000 ciclos de programa/borrado

• Funcionamiento en todo el rango de temperatura industrial (–40 °C a +85 °C)

• Compatibilidad con el estándar IEEE 1149.1/1532 Boundary-Scan (JTAG) para programación, creación de prototipos y pruebas

• Comando JTAG Iniciación de Configuración Estándar FPGA

• Conexión en cascada para almacenar flujos de bits más largos o múltiples

• Fuente de alimentación de E/S de exploración de límites dedicada (JTAG) (VCCJ)

• Pines de E/S compatibles con niveles de voltaje que van desde 1,5 V a 3,3 V

• Soporte de diseño utilizando los paquetes de software de la serie ISE y Foundation ISE de Xilinx Alliance

• XCF01S/XCF02S/XCF04S

* Tensión de alimentación de 3,3 V

* Interfaz de configuración Serial FPGA (hasta 33 MHz)

* Disponible en paquetes VO20 y VOG20 de tamaño reducido.

• XCF08P/XCF16P/XCF32P

* Tensión de alimentación de 1,8 V

* Interfaz de configuración FPGA serial o paralelo (hasta 33 MHz)

* Disponible en paquetes de tamaño reducido VO48, VOG48, FS48 y FSG48

* La tecnología de revisión de diseño permite almacenar y acceder a múltiples revisiones de diseño para la configuración

* Descompresor de datos integrado compatible con la tecnología de compresión avanzada de Xilinx

 

 

Descripción

Xilinx presenta la serie Platform Flash de PROM de configuración programable en el sistema.Disponibles en densidades de 1 a 32 megabits (Mbit), estas PROM proporcionan un método fácil de usar, rentable y reprogramable para almacenar grandes flujos de bits de configuración de FPGA de Xilinx.La serie Platform Flash PROM incluye tanto la PROM XCFxxS de 3,3 V como la PROM XCFxxP de 1,8 V.La versión XCFxxS incluye PROM de 4 Mbit, 2 Mbit y 1 Mbit que admiten los modos de configuración FPGA Master Serial y Slave Serial (Figura 1).La versión XCFxxP incluye PROM de 32 Mbit, 16 Mbit y 8 Mbit que admiten los modos de configuración FPGA Master Serial, Slave Serial, Master SelectMAP y Slave SelectMAP (Figura 2).

 

 

Figura 1: Diagrama de bloques de la PROM flash de la plataforma XCFxxS

 

 

 

Figura 2: Diagrama de bloques de la PROM flash de la plataforma XCFxxP

 

 

Índices absolutos máximos

Símbolo Descripción XCF01S... XCF02S... XCF04S XCF08P, XCF16P, XCF32P Unidades
VCCINT Tensión de alimentación interna relativa a GND –0,5 a +4,0 –0,5 a +2,7 V
VCCO Tensión de alimentación de E/S relativa a GND –0,5 a +4,0 –0,5 a +4,0 V
VCCJ Voltaje de suministro de E/S JTAG relativo a GND –0,5 a +4,0 –0,5 a +4,0 V
VEN Voltaje de entrada con respecto a GND VCCO<2,5 V –0,5 a +3,6 –0,5 a +3,6 V
VCCO≥ 2,5 V –0,5 a +5,5 –0,5 a +3,6 V
VTS Voltaje aplicado a la salida High-Z VCCO<2,5 V –0,5 a +3,6 –0,5 a +3,6 V
VCCO≥ 2,5 V –0,5 a +5,5 –0,5 a +3,6 V
TSTG Temperatura de almacenamiento (ambiente) –65 a +150 –65 a +150 ºC
Tj Temperatura de la Unión +125 +125 ºC

Notas:

  1. El subimpulso máximo de CC por debajo de GND debe limitarse a 0,5 V o 10 mA, lo que sea más fácil de lograr.Durante las transiciones, los pines del dispositivo pueden subimpulsar a –2,0 V o sobrepasar a +7,0 V, siempre que este sobreimpulso o subimpulso dure menos de 10 ns y con la corriente forzada limitada a 200 mA.
  2. Las tensiones más allá de las enumeradas en Valores nominales máximos absolutos pueden causar daños permanentes al dispositivo.Estas son solo clasificaciones de estrés, y no se implica la operación funcional del dispositivo en estas o cualquier otra condición más allá de las enumeradas en Condiciones de funcionamiento.La exposición a condiciones de índices máximos absolutos durante períodos prolongados afecta negativamente la confiabilidad del dispositivo.
  3. Para conocer las pautas de soldadura, consulte la información sobre "Embalaje y características térmicas" en www.xilinx.com.

 

 

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