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Componentes electrónicos de chips IC programables AT28C64B-15PU

fabricante:
Microchip
Descripción:
Memoria IC 64Kbit 150 paralelos ns 28-PDIP de EEPROM
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento (caso):
-40°C - 85°C
VCC fuente de alimentación:
5V el ±10%
Temperatura bajo prejuicio:
-55°C a +125°C
Temperatura de almacenamiento:
-65°C a +150°C
Corriente entrada de la carga:
µA 10 (máximo)
Corriente de la salida de la salida:
µA 10 (máximo)
Punto culminante:

programming ic chips

,

programmable audio chip

Introducción

 

EEPROM paralelo de 64 K (8 K x 8) con protección de datos de software y escritura de página AT28C64B

 

Características

• Tiempo de acceso de lectura rápida: 150 ns

• Operación de escritura de página automática

– Dirección interna y pestillos de datos para 64 bytes

• Tiempos de ciclo de escritura rápidos

– Tiempo de ciclo de escritura de página: 10 ms máximo (estándar)

Máximo 2 ms (Opción – Ref. AT28HC64BF Hoja de datos)

– Operación de escritura de página de 1 a 64 bytes

• Baja disipación de energía

– 40 mA Corriente activa

– Corriente de espera CMOS de 100 µA

• Protección de datos de hardware y software

• Sondeo de DATOS y bit de alternancia para detección de fin de escritura

• Tecnología CMOS de alta confiabilidad

– Resistencia: 100.000 Ciclos

– Retención de datos: 10 años

• Suministro único de 5 V ±10 %

• Entradas y salidas compatibles con CMOS y TTL

• Pinout de byte completo aprobado por JEDEC

• Rangos de temperatura industriales

• Opción de empaque verde (sin Pb/haluro)

 

1. Descripción

El AT28C64B es una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM) de alto rendimiento.Sus 64K de memoria están organizados en 8192 palabras por 8 bits.Fabricado con la avanzada tecnología CMOS no volátil de Atmel, el dispositivo ofrece tiempos de acceso de 150 ns con una disipación de energía de solo 220 mW.Cuando se anula la selección del dispositivo, la corriente de espera de CMOS es inferior a 100 µA.

 

Se accede al AT28C64B como una RAM estática para el ciclo de lectura o escritura sin necesidad de componentes externos.El dispositivo contiene un registro de página de 64 bytes para permitir la escritura de hasta 64 bytes simultáneamente.Durante un ciclo de escritura, las direcciones y de 1 a 64 bytes de datos se bloquean internamente, lo que libera el bus de direcciones y datos para otras operaciones.Tras el inicio de un ciclo de escritura, el dispositivo escribirá automáticamente los datos bloqueados utilizando un temporizador de control interno.El final de un ciclo de escritura puede ser detectado por DATA POLLING de I/O7.Una vez que se ha detectado el final de un ciclo de escritura, puede comenzar un nuevo acceso para una lectura o escritura.

 

El AT28C64B de Atmel tiene características adicionales para garantizar una alta calidad y capacidad de fabricación.El dispositivo utiliza la corrección de errores internos para una mayor resistencia y mejores características de retención de datos.Un mecanismo de protección de datos de software opcional está disponible para protegerse contra escrituras inadvertidas.El dispositivo también incluye 64 bytes adicionales de EEPROM para identificación o seguimiento del dispositivo.

 

2. Configuraciones de pines

Nombre del pin Función
A0 - A12 direcciones
CE Activar chip
Equipo original Habilitar salida
NOSOTROS Habilitar escritura
E/S0 - E/S7 Entradas/salidas de datos
CAROLINA DEL NORTE No conecta
corriente continua no conectar

 

2.1 PDIP de 28 derivaciones, SOIC de 28 derivaciones Vista superior

 

 

 

2.2 Vista superior del PLCC de 32 derivaciones

 

 

Nota: Los pines 1 y 17 del paquete PLCC no se conectan.

 

2.3 Vista superior del TSOP de 28 derivaciones

 

 

3. Diagrama de bloques

 

4. Calificaciones máximas absolutas*

                                                                                                         

Temperatura bajo polarización ................................ -55 °C a +125 °C

 

Temperatura de almacenamiento ................................. -65 °C a +150 °C

 

Todos los voltajes de entrada

(incluyendo pines NC)

con respecto a tierra ................................-0,6 V a +6,25 V

 

Todos los voltajes de salida

Con Respecto a Tierra .............................-0.6V a VCC + 0.6V

 

Voltaje en OE y A9

con respecto a tierra ................................-0,6 V a +13,5 V

                                                                                                          

*AVISO: Esfuerzos más allá de los enumerados en "Calificaciones máximas absolutas" pueden causar daños permanentes al dispositivo.Esta es solo una clasificación de estrés y no se implica la operación funcional del dispositivo en estas u otras condiciones más allá de las indicadas en las secciones operativas de esta especificación.La exposición a condiciones de clasificación máxima absoluta durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo

 

 

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