M93S46-WMN6TP EEPROM de acceso en serie por MICROHILO con protección de bloque

M93S46-WMN6TP EEPROM de acceso en serie por MICROHILO con protección de bloque

RESUMEN DE CARACTERÍSTICAS

Bus MICROWIRE estándar de la industria

Voltaje de suministro único: – 4,5 a 5,5 V para M93Sx6 – 2,5 a 5,5 V para M93Sx6-W – 1,8 a 5,5 V para M93Sx6-R Organización única: por Word (x16)

Instrucciones de programación que funcionan en: Palabra o memoria completa

Ciclo de Programación Temporizado con AutoErase

Área protegida contra escritura definida por el usuario

Modo de escritura de página (4 palabras)

Señal de listo/ocupado durante la programación

Velocidad:

– Frecuencia de reloj de 1 MHz, tiempo de escritura de 10 ms (producto actual, identificado por la letra de identificación de proceso F o M) – Frecuencia de reloj de 2 MHz, tiempo de escritura de 5 ms (producto nuevo, identificado por la letra de identificación de proceso W o G) Operación de lectura secuencial

Comportamiento ESD/Latch-Up mejorado

Más de 1 millón de ciclos de borrado/escritura

Más de 40 años de retención de datos

DESCRIPCIÓN RESUMIDA

Esta especificación cubre una gama de productos de memoria programable borrable eléctricamente (EEPROM) serie de 4K, 2K y 1K bits (respectivamente para M93S66, M93S56, M93S46).En este texto, estos productos se denominan colectivamente M93Sx6.

Se accede al M93Sx6 a través de una entrada serial (D) y una salida (Q) utilizando el protocolo de bus MICROWIRE.La memoria se divide en palabras de 256, 128, 64 x 16 bits (respectivamente para M93S66, M93S56, M93S46).Se accede al M93Sx6 mediante un conjunto de instrucciones que incluyen Lectura, Escritura, Escritura de página, Escritura de todo e instrucciones utilizadas para configurar la protección de la memoria.Estos se resumen en la Tabla 2 y la Tabla 3).Una instrucción de lectura de datos de la memoria (READ) carga la dirección de la primera palabra que se leerá en un puntero de dirección interno.A continuación, los datos contenidos en esta dirección se registran en serie.El puntero de dirección se incrementa automáticamente después de que se envían los datos y, si la entrada de selección de chip (S) se mantiene alta, el M93Sx6 puede generar un flujo secuencial de palabras de datos.De esta forma, la memoria se puede leer como un flujo de datos de 16 a 4096 bits (para el M93S66), o de forma continua a medida que el contador de direcciones pasa automáticamente a 00h cuando se alcanza la dirección más alta.Dentro del tiempo requerido por un ciclo de programación (tW), se pueden escribir hasta 4 palabras con la ayuda de la instrucción Page Write.también se puede borrar toda la memoria, o establecer un patrón predeterminado, usando la instrucción Write All.Dentro de la memoria, un área definida por el usuario puede estar protegida contra otras instrucciones de escritura.El tamaño de esta área está definido por el contenido de un Registro de Protección, ubicado fuera de la matriz de memoria.Como paso final de protección, los datos pueden protegerse permanentemente mediante la programación de un bit de programación única (bit OTP) que bloquea el contenido del registro de protección.La programación es autocronometrada internamente (la señal del reloj externo en el reloj serial (C) puede detenerse o dejarse en marcha después del inicio de un ciclo de escritura) y no requiere un ciclo de borrado antes de la instrucción de escritura.La instrucción Write escribe 16 bits a la vez en una de las ubicaciones de palabras del M93Sx6, la instrucción Page Write escribe hasta 4 palabras de 16 bits en ubicaciones secuenciales, asumiendo en ambos casos que todas las direcciones están fuera del área protegida contra escritura.Después del inicio del ciclo de programación, una señal de Ocupado/Listo está disponible en la salida de datos en serie (Q) cuando la entrada de selección de chip (S) está alta.