Memoria de programa de chip de circuito integrado de chip IC TPD4E001DBVR
electronics ic chip
,integrated circuit components
MATRIZ DE PROTECCIÓN ESD DE 4 CANALES CON CAPACITANCIA DE E/S DE 1,5 pF
Características
Matriz de pinzas ESD de 4 canales para mejorar
Protección ESD a nivel de sistema
• Supera los requisitos de protección ESD de IEC61000-4-2 (nivel 4)
– ±8 kV IEC 61000-4-2 Descarga de contacto
– Descarga de entrehierro de ±15 kV IEC 61000-4-2
• Modelo de cuerpo humano de ±15 kV (HBM)
• Corriente de pulso máxima de 5,5 A (pulso de 8/20 us)
• Capacitancia de entrada baja de 1,5 pF
• Corriente de fuga baja de 1 nA (máx.)
• Rango de tensión de alimentación de 0,9 V a 5,5 V
• Opciones de paquetes DRL, DBV, DCK y DRS que ahorran espacio
DESCRIPCIÓN/INFORMACIÓN PARA PEDIDOS
El TPD4E001 es una matriz de diodos de protección ESD de ±15 kV de baja capacitancia diseñada para proteger los componentes electrónicos sensibles conectados a las líneas de comunicación.Cada canal consta de un par de diodos que dirigen los pulsos de corriente ESD a VCC o GND.
El TPD4E001 protege contra pulsos de ESD de hasta ±15 kV modelo de cuerpo humano (HBM), descarga de contacto de ±8 kV y descarga de espacio de aire de ±15 kV, como se especifica en IEC 61000-4-2.Este dispositivo tiene una capacitancia de E/S de 1,5 pF por canal, lo que lo hace ideal para su uso en interfaces de E/S de datos de alta velocidad.
La corriente de fuga ultrabaja (<1 nA máx.) es adecuada para mediciones analógicas de precisión en aplicaciones como medidores de glucosa, monitores de frecuencia cardíaca, etc. El TPD4E001 está disponible en DRL, DBV (SOT-23), DCK (SC-70), y paquetes DRS (QFN) y se especifica para un funcionamiento de –40 °C a 85 °C.
CALIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
VCC –0,3 7 V VI/O
Tolerancia de tensión de E/S –0,3 VCC + 0,3 V
Tstg Rango de temperatura de almacenamiento –65 150 °C
Temperatura de unión TJ 150 °C
Infrarrojos (15 s) 220 Temperatura de choque (soldadura) °C
Fase de vapor (60 s) 215
Temperatura del plomo (soldadura, 10 s) 300 °C
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PARTE DEL EXISTENCIA
ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
BC856BT | TLC59283DBQR |
SN74LS244N | CA3140EZ |
ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
OPA07CSZ | IRF4905PBF |
742792118* | A30-400 |
OPA333AIDCKR | A30-500 |
SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
ATM46C3 | A30-800 |
A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
PIC16F883-I/SO | BD677A |
IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
VT6315N | TZM5256B-GS08 |
SKA3/17 | TOP232PN |
STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
TL7705ACDR | LM4861MX |

Canal bajo SOT143 del arsenal 2 de la protección del Esd de la capacitancia de TPD2E001DZDR

Dispositivo de protección del canal SOT23-6 500mW ESD del patio TPD4E1U06

CC2420RGZT IC de memoria flash nuevo y original

CC2541F256RHAR IC de memoria flash nuevo y original

Transmisor-receptor electrónico del RF del poder de Chips Single Chip Very Low del circuito integrado de CC1000PW

Sensores de temperatura centígrados de la precisión electrónica del circuito integrado de LM35DM
Imagen | parte # | Descripción | |
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Canal bajo SOT143 del arsenal 2 de la protección del Esd de la capacitancia de TPD2E001DZDR |
Clamp Ipp Tvs Diode Surface Mount 4-SOP
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Dispositivo de protección del canal SOT23-6 500mW ESD del patio TPD4E1U06 |
15V (Typ) Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-6
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CC2420RGZT IC de memoria flash nuevo y original |
IC RF TxRx Only 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN Exposed Pad
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CC2541F256RHAR IC de memoria flash nuevo y original |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 40-VFQFN Exposed Pad
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Transmisor-receptor electrónico del RF del poder de Chips Single Chip Very Low del circuito integrado de CC1000PW |
IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Sensores de temperatura centígrados de la precisión electrónica del circuito integrado de LM35DM |
Temperature Sensor Analog, Local 0°C ~ 100°C 10mV/°C 8-SOIC
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