TPCA8109(TE12L1,V IC Chip Chip de circuito integrado Memoria de programa
Especificaciones
Gama de temperaturas:
°C -50 a +150
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
30 voltios
Actual:
5A
Paquete:
SOP-8
Paquete de la fábrica:
Carrete
Punto culminante:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
Introducción
Transistor de efecto de campo tipo MOS de canal P de silicio (U-MOSⅥ)TPCA8109Aplicaciones de baterías de iones de litio Aplicaciones de interruptores de administración de energía
Características
• Tamaño reducido debido al paquete pequeño y delgado
• Baja resistencia de encendido de la fuente de drenaje: RDS (encendido) = 7 mΩ (típ.)
• Baja corriente de fuga: IDSS = −10 μA (máx.) (VDS = −30 V)
• Modo de mejora: Vth = −0,8 a −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)
CALIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS(1) |
Tensión drenaje-fuente VDSS −30 V
Tensión de compuerta de drenaje (RGS = 20 kΩ) VDGR −30 V
Tensión puerta-fuente VGSS −25/+20 V
CC (Nota 1) ID −24 Corriente de drenaje Pulsada (Nota 1)
IDP −72 A Drenaje disipación de potencia (Tc=25°C) PD 30 W
Disipación de potencia de drenaje (t = 10 s) (Nota 2a) PD 2,8 W
Disipación de potencia de drenaje (t = 10 s) (Nota 2b) PD 1,6 W
Energía de avalancha de pulso único (Nota 3) EAS 75 mJ
Corriente de avalancha IAR −24 A
Temperatura del canal Tch 150 °C
Rango de temperatura de almacenamiento Tstg −55 a 150 °C
|
PARTE DEL EXISTENCIA
ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
BC856BT | TLC59283DBQR |
SN74LS244N | CA3140EZ |
ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
OPA07CSZ | IRF4905PBF |
742792118* | A30-400 |
OPA333AIDCKR | A30-500 |
SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
ATM46C3 | A30-800 |
A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
PIC16F883-I/SO | BD677A |
IRFPE50 | TZM5237B-GS08 |
VT6315N | TZM5256B-GS08 |
SKA3/17 | TOP232PN |
STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
TL7705ACDR | LM4861MX |
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