M95160-WMN6TP Componentes electrónicos EEPROM de bus SPI serie de 16 Kbit con reloj de alta velocidad
electronics ic chip
,integrated circuit ic
EEPROM de bus SPI serie de 16 Kbit con reloj de alta velocidad
Características
• Compatible con el bus SPI (Serial Peripheral Interface) • Matriz de memoria
– 16 Kb (2 Kbytes) de EEPROM
– Tamaño de página: 32 bytes
• Escribir
– Byte Write dentro de 5 ms
– Escritura de página en 5 ms
• Protección contra escritura: matriz de memoria de un cuarto, la mitad o la totalidad
• Reloj de alta velocidad: 20 MHz
• Tensión de alimentación única:
– 2,5 V a 5,5 V para M95160-W
– 1,8 V a 5,5 V para M95160-R
– 1,7 V a 5,5 V para M95160-DF
• Rango de temperatura de funcionamiento:
desde -40°C hasta +85°C
• Protección ESD mejorada
• Más de 4 millones de ciclos de escritura
• Más de 200 años de retención de datos
• Paquetes: compatibles con RoHS y libres de halógenos
Descripción
Los dispositivos M95160 son memorias programables borrables eléctricamente (EEPROM) organizadas como 2048 x 8 bits, a las que se accede a través del bus SPI
El M95160-W puede funcionar con una tensión de alimentación de 2,5 V a 5,5 V, el M95160-R puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V a 5,5 V y el M95160-DF puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,7 V a 5,5 V, en un rango de temperatura ambiente de -40 °C / +85 °C.
El M95160-D ofrece una página adicional, denominada Página de identificación (32 bytes).La página de identificación se puede utilizar para almacenar parámetros confidenciales de la aplicación que se pueden bloquear (posteriormente) de forma permanente en el modo de solo lectura.
Tabla 1. Nombres de las señales
| Nombre de la señal | Función | Dirección |
| C | Reloj en serie | Aporte |
| D | Entrada de datos en serie | Aporte |
| q | Salida de datos en serie | Producción |
| S | Selección de fichas | Aporte |
| W | Protección contra escritura | Aporte |
| SOSTENER | Sostener | Aporte |
| CCV | Tensión de alimentación | - |
| VSS | Suelo | - |
Lista de existencias para su referencia
| NUC123LC2AN1 | 5120 | NUVOTON | 15+ | LQFP |
| LM380N | 4917 | NSC | 14+ | DIP-14 |
| MBR40250TG | 16825 | EN | 16+ | TO-220 |
| MMSZ5227BT1G | 20000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| MC9S08AC32CFGE | 4534 | ESCALA LIBRE | 11+ | QFP |
| MC9S08PA32VLD | 4618 | ESCALA LIBRE | 15+ | LQFP |
| MSP430F2001IN | 6694 | TI | 14+ | PDIP |
| MMBT3906 | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| AT24C04C-PUM | 1970 | ATMEL | 15+ | DIP-8 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485