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Amplificadores operacionales programables de baja potencia Lincmose TLC271CDR

fabricante:
Las acciones de Texas Instruments
Descripción:
Circuito de fines generales 8-SOIC del amplificador 1
Categoría:
Chips CI del amplificador
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente, VDD:
18V
Voltaje de entrada diferenciada, VID:
±VDD
Gama de voltaje entrado, VI (cualquier entrada):
– 0,3 V a VDD
Corriente entrada, II:
±5 mA
corriente de salida, IO:
±30 mA
Gama de temperaturas de almacenamiento:
– 65°C a 150°C
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introducción

 

LinCMOSTMAMPLIFICADORES OPERACIONALES DE BAJA POTENCIA PROGRAMABLES

 

*Desviación del voltaje de compensación de entrada... Típicamente

0,1 µV/mes, incluidos los primeros 30 días

*Amplia gama de voltajes de suministro

Rango de temperatura especificado:

0°C a 70°C ...3 V a 16 V

–40°C a 85°C ...4 V a 16 V

–55°C a 125°C ...5 V a 16 V

*Operación de suministro único

*Rango de voltaje de entrada de modo común

se extiende por debajo del riel negativo (sufijo C y

Tipos de sufijo I)

*Ruido bajo ...25 nV/√Hz Típicamente a

f = 1 kHz (modo de polarización alta)

*El rango de voltaje de salida incluye el riel negativo

*Alta impedancia de entrada...1012 Ω tipo

*Circuitos de protección ESD

*Opción de paquete de contorno pequeño también disponible

en cinta y carrete

* Inmunidad de bloqueo diseñada en

 

descripción

El amplificador operacional TLC271 combina una amplia gama de grados de voltaje de compensación de entrada con deriva de voltaje de compensación baja y alta impedancia de entrada.Además, el TLC271 ofrece un modo de selección de polarización que permite al usuario seleccionar la mejor combinación de disipación de potencia y rendimiento de CA para una aplicación en particular.Estos dispositivos utilizan LinCMOS de puerta de silicio de Texas InstrumentsTMtecnología, que proporciona una estabilidad de tensión compensada que supera con creces la estabilidad disponible con los procesos de compuerta metálica convencionales.

 

CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO

PARÁMETRO† MODO DE SELECCIÓN DE BIAS UNIDAD
ALTO MEDIO BAJO
PAGD 3375 525 50 µW
RS 3.6 0.4 0.03 V/µs
Vnorte 25 32 68 nV/√Hz
B1 1.7 0.5 0.09 megahercio
Aenfermedad venérea 23 170 480 V/mV

típico en VDD= 5 V, TA= 25°C

 

esquema equivalente

 

clasificaciones máximas absolutas sobre la temperatura de funcionamiento al aire libre

(a menos que se indique lo contrario)†

Tensión de alimentación, VDD(ver Nota 1) ...................................................18 voltios

Voltaje de entrada diferencial, VIDENTIFICACIÓN(ver Nota 2) .......................................... ..± VDD

Rango de voltaje de entrada, VI(cualquier entrada)...........................................– 0,3 V a VDD

Corriente de entrada, yoI.................................................................±5mA

Corriente de salida, yoO..............................................................±30mA

Duración de la corriente de cortocircuito a (o menos) 25°C (ver Nota 3) ...... ....................Ilimitado

Disipación total continua.....................................Consulte la tabla de clasificación de disipación

Temperatura de funcionamiento del aire libre, TA: C sufijo .....................................0,0 °C a 70 °C

yo sufijo....................................– 40°C a 85°C

sufijo M...................................– 55°C a 125°C

Rango de temperatura de almacenamiento...............................................– 65°C a 150°C

Temperatura de la caja durante 60 segundos: paquete FK.......................................260°C

Temperatura de plomo 1,6 mm (1/16 pulgada) desde la caja durante 10 segundos: paquete D o P..............260°C

Temperatura de plomo 1,6 mm (1/16 pulgada) desde la caja durante 60 segundos: paquete JG.................300°C

 

† Esfuerzos más allá de los enumerados en "clasificaciones máximas absolutas" pueden causar daños permanentes al dispositivo.Estas son solo clasificaciones de estrés, y no se implica la operación funcional del dispositivo en estas o cualquier otra condición más allá de las indicadas en "condiciones de funcionamiento recomendadas".La exposición a condiciones nominales máximas absolutas durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.

NOTAS: 1. Todos los valores de voltaje, excepto los voltajes diferenciales, son con respecto a la tierra de la red.

2. Los voltajes diferenciales están en IN+ con respecto a IN–.

3. La salida puede estar en cortocircuito con cualquiera de los suministros.La temperatura y/o los voltajes de alimentación deben limitarse para garantizar

que no se supere el índice máximo de disipación (consulte la sección de aplicación).

 

TABLA DE CLASIFICACIÓN DE DISIPACIÓN

PAQUETE

TA≤ 25°C

POTENCIA NOMINAL

FACTOR DE REDUCCIÓN

POR ENCIMA DE TA= 25°C

TA= 70°C POTENCIA NOMINAL

TA= 85°C

POTENCIA NOMINAL

TA= 125°C

POTENCIA NOMINAL

D 725 mW 5,8 mW/°C 464 mW 377 mW 145 mW
FK 1375 mW 11,0 mW/°C 880 mW 715 mW 275 mW
JG 1050 mW 8,4 mW/°C 672 mW 546 mW 210 mW
PAG 1000 mW 8,0 mW/°C 640 mW 520 mW 200 mW

      

Condiciones de funcionamiento recomendadas

  SUFIJO C SUFIJO SUFIJO M UNIDAD
MÍNIMO MÁXIMO MÍNIMO MÁXIMO MÍNIMO MÁXIMO
Tensión de alimentación, VDD 3 16 4 16 5 16 V

Modo común

voltaje de entrada VCI

VDD= 5 voltios –0,2 3,5 –0,2 3,5 0 3.5 V
VDD= 10 voltios –0,2 8,5 –0,2 8,5 0 8.5
Temperatura de funcionamiento del aire libre, TA 0 70 –40 85 –55 125 ºC

 

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