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Familia de amplificadores operacionales de fuente única de unidad de alto rendimiento de banda ancha Tl7757cdr

fabricante:
Las acciones de Texas Instruments
Descripción:
Dren abierto o canal abierto 8-SOIC del supervisor del colector 1
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente:
17 V
Gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire, TA: Sufijo de C:
0°C a 70°C
Gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire, TA: Añado como sufijo:
°C −40 a 125°C
Temperatura de empalme máxima, TJ:
150 ºC
Gama de temperaturas de almacenamiento, Tstg:
−65°C a 150°C
Lleve la temperatura 1,6 milímetros (1/16 pulgada) del caso por 10 segundos:
260°C
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Introducción

 

FAMILIA DE AMPLIFICADORES OPERACIONALES DE ALIMENTACIÓN ÚNICA Y ALTA SALIDA DE ANCHO DE BANDA ANCHA

 

* Ancho de banda amplio...10 MHz

*Unidad de alto rendimiento

− yoOH...57 mA a VDD− 1,5 VAmplificador operacional

− yoOL...55 mA a 0,5 V

*Alta velocidad de respuesta

− RS+...16 V/µs

− SR− ...19 V/µs

*Amplia Gama de Suministros...4,5 V a 16 V

*Corriente de suministro ...1,9 mA/canal

*Modo de apagado de energía ultrabaja

IDD...125 µA/canal

* Bajo voltaje de ruido de entrada...8,5 nV√Hz

*Voltaje de compensación de entrada...60 µV

*Paquetes ultrapequeños

− MSOP de 8 o 10 pines (TLC080/1/2/3)

 

descripción

Los primeros miembros de la nueva familia de amplificadores operacionales de propósito general BiMOS de TI son el TLC08x.El concepto de la familia BiMOS es simple: proporciona una ruta de actualización para los usuarios de BiFET que se están alejando de los sistemas de suministro dual a los de suministro único y exigen un mayor rendimiento de CA y CC.Con un rendimiento nominal de 4,5 V a 16 V comercial (0 °C a 70 °C) y un rango de temperatura industrial ampliado (−40 °C a 125 °C), BiMOS se adapta a una amplia gama de aplicaciones de audio, automoción, industriales y aplicaciones de instrumentación.Funciones familiares como pines de anulación compensados ​​y nuevas funciones como MSOP PowerPADTMpaquetes y modos de apagado, permiten mayores niveles de rendimiento en una variedad de aplicaciones.

 

Desarrollados en el proceso LBC3 BiCMOS patentado de TI, los nuevos amplificadores BiMOS combinan una impedancia de entrada muy alta, un extremo frontal CMOS de bajo ruido con una etapa de salida bipolar de alto impulso, proporcionando así las características de rendimiento óptimas de ambos.Las mejoras en el rendimiento de CA con respecto a los predecesores TL08x BiFET incluyen un ancho de banda de 10 MHz (un aumento del 300 %) y un ruido de voltaje de 8,5 nV/√Hz (una mejora del 60 %).Las mejoras de CC incluyen una V garantizadaICReso incluye tierra, un factor de reducción de 4 en el voltaje de compensación de entrada hasta 1,5 mV (máximo) en el grado estándar y una mejora en el rechazo de la fuente de alimentación de más de 40 dB a 130 dB.A esta lista de características impresionantes se agrega la capacidad de manejar cargas de ±50 mA cómodamente desde un paquete MSOP PowerPAD de tamaño ultrapequeño, lo que posiciona al TLC08x como la familia ideal de amplificadores operacionales de propósito general y alto rendimiento.

 

clasificaciones máximas absolutas sobre el rango de temperatura de funcionamiento al aire libre (a menos que se indique lo contrario)†

Tensión de alimentación, VDD(ver Nota 1) ..................................................17 voltios

Rango de voltaje de entrada diferencial, VIDENTIFICACIÓN................................................± VDD

Disipación continua de potencia total..............................Consulte la tabla de clasificación de disipación

Rango de temperatura de funcionamiento del aire libre, TA: C sufijo ................................0°C a 70°C

yo sufijo.............................−40°C a 125°C

Temperatura máxima de unión, Tj...............................................0,150 °C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg..........................................−65°C a 150°C

Temperatura de plomo 1,6 mm (1/16 pulgada) desde la caja durante 10 segundos.........................260 °C

 

† Esfuerzos más allá de los enumerados en "clasificaciones máximas absolutas" pueden causar daños permanentes al dispositivo.Estas son solo clasificaciones de estrés, y no se implica la operación funcional del dispositivo en estas o cualquier otra condición más allá de las indicadas en "condiciones de funcionamiento recomendadas".La exposición a condiciones nominales máximas absolutas durante períodos prolongados puede afectar la confiabilidad del dispositivo.

NOTA 1: Todos los valores de voltaje, excepto los voltajes diferenciales, son con respecto a GND.

 

TABLA DE CLASIFICACIÓN DE DISIPACIÓN

 PAQUETE θJC(°C/W) θJA(°C/W) TA≤ 25°C POTENCIA NOMINAL
D (8) 38,3 176 710 mW
D (14) 26,9 122,3 1022 mW
D (16) 25,7 114,7 1090 mW
DGN (8) 4,7 52,7 2,37 W
DGQ (10) 4,7 52,3 2,39 W
N (14, 16) 32 78 1600 mW
P (8) 41 104 1200 mW
PWP (20) 1,40 26,1 4,79 W

 

Condiciones de funcionamiento recomendadas

    MÍNIMO MÁXIMO UNIDAD
Tensión de alimentación, VDD Suministro único 4.5 16 V
suministro dividido ±2,25 ±8
Voltaje de entrada de modo común, VICR TIERRA VDD−2 V
Nivel de voltaje de encendido/apagado‡ Vyo 2 V
VILLINOIS 0.8
Temperatura de funcionamiento del aire libre, TA sufijo C 0 70 ºC
sufijo I -40 125

‡ Relativo al voltaje en el terminal GND del dispositivo.

 

 

INFORMACIÓN DE APLICACIÓN

 

 

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MOQ:
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