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Voltaje actual 100V de DarliCM GROUPon Bipolar Mosfet Power Transistor TIP147 10A

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 10 A 125 W a través del agujero TO-247
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Serie:
DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor
Uso:
Transferencia de baja fricción
Paquete:
TO-3P
Voltaje:
100V
Calidad:
Marca original del 100% el 100%
Actual:
10A
Punto culminante:

n channel mosfet transisto

,

high speed mosfet transistor

Introducción

¿? Transistores TO-3P TIP147 10A 100V PNP DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor del MOSFET

TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TIP145, TIP146, TIP147, (PNP)

Descripción

Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con la disposición de la “isla baja” y la configuración monolítica de DarliCM GROUPon. Los transistores resultantes muestran funcionamiento excepcional de la alta ganancia juntados con voltaje de saturación muy bajo.

Características

Diseñado para el amplificador de fines generales y los usos que cambian de poca velocidad.


• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor
VCEO (sus) = 60V (mínimo) - TIP140, TIP145
= 80V (mínimo) - TIP141, TIP146
= 100V (mínimo) - TIP142, TIP147
• Voltaje de saturación del Colector-emisor


VCE (se sentó) = 2.0V (máximo) en IC = 5.0A
• Construcción monolítica con el resistor de desviación incorporado del emisor de base.

TIP142
TIP147

TIP142T
TIP147T


TIP42CTU EN/FSC
TIP41CTU EN/FSC

TIP42C ST
TIP41C ST

Diseñan a DarliCM GROUPon Bipolar Power Transistor para el amplificador de fines generales y los usos que cambian de baja fricción.

El TIP140, TIP141, TIP142, (NPN); TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) son dispositivos complementarios.

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