Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
MOSFET del poder del transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A para las telecomunicaciones y el uso industrial
IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Descripción
Selección del MOSFET del poder para los convertidores sin aislar de DC/DC
Grados máximos absolutos
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Parámetro |
Máximo. |
Unidades |
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VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
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VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
± 20 |
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Identificación @ TC = 25°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
161f |
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Identificación @ TC = 100°C |
Corriente continua del dren, VGS @ 10V |
113f |
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IDM |
Dren pulsado c actual |
620 |
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Paladio @TC = 25°C |
Disipación de poder máxima g |
140 |
W |
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Paladio @TC = 100°C |
Disipación de poder máxima g |
71 |
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Factor que reduce la capacidad normal linear |
0,95 |
W/°C |
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TJ TSTG |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
-55 to+175 |
°C |
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Temperatura que suelda, por 10 segundos |
300 (1.6m m de caso) |
Características
l RDS bajo mismo (encendido) en 4.5V VGS
l impedancia ultrabaja de la puerta
l caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
Usos
l Buck Converters síncrono de alta frecuencia para el poder del procesador del ordenador
l convertidores aislados de alta frecuencia de DC-DC con la rectificación síncrona para las telecomunicaciones y el uso industrial
l sin plomo
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
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