Transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, transistor de transferencia rápido de 100V 23A
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
Poder del MOSFET del transistor de transferencia del canal IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P alto
Descripción
La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
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Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
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