Voltaje actual 55V del transistor de poder del Mosfet 31A IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
MOSFET del poder del transistor TO252 55V 31A de IRFR5305TRPBF para el general del circuito de poder
IRFR5305PbF
IRFU5305PbF
Descripción
La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.
Grados máximos absolutos
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Parámetro |
Máximo. |
Unidades |
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Identificación @ TC =°C 25 |
Corriente continua del dren, VGS @ -10V |
-31 |
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Identificación @ TC =°C 100 |
Corriente continua del dren, VGS @ -10V |
-22 |
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IDM |
Corriente pulsada del dren |
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