Paquete actual del transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 del Mosfet del canal SMD del voltaje 20V P
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Transistor original del MOSFET del canal 20V 7.7A SMD de IRF7404TRPBF SOP8 P
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar la en-resistencia posible más baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en una amplia variedad de usos.
El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para las técnicas que sueldan de la fase de vapor, infrarrojas, o de la onda. La disipación de poder de mayor que 0.8W es posible en un uso típico del soporte del PWB.
Característica
l echnology de la generación V T
l En-resistencia ultrabaja
l Mosfet del P-canal
l soporte superficial
l disponible en cinta y carrete
l grado dinámico de dv/dt
l transferencia rápida
Paquete
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485