El transistor de poder del Mosfet del funcionamiento de la alta ganancia NPN DarliCM GROUPon TIP122 ROHS aprobó
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Serie:
Transistor NPN DarliCM GROUPon
Uso:
Linear de fines generales y el cambiar
Paquete:
TO220
Voltaje:
100V
Calidad:
Funcionamiento de la alta ganancia
Actual:
5A
Punto culminante:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Introducción
¿? Transistor de poder de los transistores TIP122 DarliCM GROUPon NPN 100V 5A 2000mW TO220 del MOSFET
TIP120, TIP121, TIP122 TIP125, TIP126, TIP127
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar con la disposición de la “isla baja” y la configuración monolítica de DarliCM GROUPon. Los transistores resultantes muestran funcionamiento excepcional de la alta ganancia juntados con voltaje de saturación muy bajo.
Características
Diseñado para los usos lineares y que cambian de fines generales.
-
Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
-
NPN complementario - transistores de PNP
-
Usos
- Linear de fines generales y el cambiar
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Común:
MOQ:
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