IR2130STRPBF SOP28 3 conductor del MOSFET IGBT del conductor del puente de la fase
IR2130STRPBF
,IR2130 MOSFET IGBT Driver
,SOP28 MOSFET IGBT Driver
Alto voltaje trifásico del CONDUCTOR del PUENTE de IR2130STRPBF, conductor de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT
Descripción
El IR 2109(4) (s) es MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y traban tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.
Características dominantes
• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• lógica de la entrada 3.3V, 5V y 15V compatible
• lógica de la prevención de la Cruz-conducción
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Alta salida lateral en fase con EN la entrada
• Tierra de la lógica y del poder +/- compensación 5V.
• Muerto-tiempo 540ns, y programable internos hasta 5us con un resistor externo del RDT (IR21094)
• Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
• La entrada cerrada apaga ambos canales.
• Disponible en sin plomo
Usos/aplicaciones
Conductores del MOSFET y de IGBT
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