Conductores del MOSFET IGBT del poder del canal N de IR21094STRPBF SOP14
IR21094STRPBF
,IR21094 MOSFET IGBT Drivers
,SOP14 MOSFET IGBT Drivers
Alto voltaje de IR21094STRPBF, conductores de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT
Descripción
El IR 2109(4) (s) es MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y trabar tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.
Características dominantes
• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• lógica de la entrada 3.3V, 5V y 15V compatible
• lógica de la prevención de la Cruz-conducción
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Alta salida lateral en fase con EN la entrada
• Tierra de la lógica y del poder +/- compensación 5V.
• Muerto-tiempo 540ns, y programable internos hasta 5us con un resistor externo del RDT (IR21094)
• Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
• La entrada cerrada apaga ambos canales.
• Disponible en sin plomo
Usos/aplicaciones
Conductores del MOSFET y de IGBT
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