Transistor de poder del Mosfet de la INMERSIÓN del canal de P 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF sin plomo
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
IRF5210PBF P-Channel 100V 40A 200W TO-220 DIP Mosfet Transistor de potencia
Descripción
Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios.La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
Características
l Tecnología de proceso avanzada
l Resistencia de encendido ultrabaja
l Clasificación dinámica dv/dt
l Temperatura de funcionamiento de 175 °C
l Cambio rápido
l Canal P
l Totalmente clasificado para avalanchas
l sin plomo
Transistor de potencia Mosfet en la lista de existencias:
IR1010NSPBF
IR2110PBF
IR2101STRPBF
IRLML2060TRPBF
IRLML9303TRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR2905ZPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLR3636TRPBF
IRF7205TRPBF
IRFB4110PBF
IRF540ZSTRLPBF
IRF7342TRPBF
IRFZ48NPBF
IRF5210PBF
IRFD9120PBF
IRFR9310PBF
IRFR3607TRPBF
IRFZ48NPBF
IRFZ44N
IRF4905
IRF1010NSTRLPBF
IRF1404PBF
IRF7306TRPBF
IRF3710SPBF
IRF7455PBF
IRF730PBF
IRF7220TRPBF
IRF7406TRPBF
IRF7204TRPBF
IRF7301TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF740PBF
IRF7424PBF/TRPBF
IRFR7546TRPBF
IRFR9024PBF
IRG4PC40KPBF
IRGP4068DPBF
IRG4PC50UDPBF
IRLZ44NPBF
IRLR024NTRPBF
IRLML6244TRPBF
IRL3803PBF
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485