Transistor de poder original del Mosfet de SOT23 BC817-25 45V 500mA NPN de gran intensidad
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 800 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 310 mW
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Serie:
Transistores de fines generales de NPN
Paquete:
SOT23
Característica:
De gran intensidad
Uso:
Transferencia y amplificación de fines generales
D/C:
nuevo y original solamente
plazo de ejecución:
0-3 días
Punto culminante:
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
Introducción
BC817-25 45 V, 500 original de fines generales de los transistores SOT23 del mA NPN
Descripción
Los transistores de fines generales de NPN en un pequeño SOT23 Superficie-montaron el paquete plástico del dispositivo (SMD).
Característica:
• De gran intensidad
• Tres selecciones del aumento actual
• AEC-Q101 calificó
Uso:
• Transferencia y amplificación de fines generales
Nuestra acción regular de los transistores de :
“74HC4051PW, 118"
“74HC1G14GW, 125"
“74AHC1G08GV, 125"
“74HC2G14GW, 125"
“74HC164D, 653"
74HC273D
“HEF4066BT, 653"
“HEF4069UBT, 653"
“HEF4013BT, 653"
“HEF4017BT, 653"
HEF4051BT
“HEF4053BT, 653"
“Because807-40,215”
“Because817-25,215”
“Because807-16,215”
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