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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos

Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos

Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos
Tipo epitaxial audio del silicio NPN del transistor de IC del amplificador de potencia 2SC5171 200 megaciclos
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 180 V 2 un 200MHz 2 W a través del agujero TO-220NIS
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Tipo:
Los amplificadores saltan IC
Uso:
Usos del amplificador de potencia
Paquete:
3 pernos SUMERGEN
Característica:
Alta frecuencia de la transición
Ancho de banda amplio:
200 megaciclos
Serie:
Complementario a 2SA1930
Punto culminante:

2SC5171

,

TOSHIBA original chip

,

Audio Power Amplifier IC

Introducción

Tipo epitaxial usos del silicio NPN del transistor de 2SC5171 TOSHIBA del amplificador de potencia

CARACTERÍSTICAS


• Alta frecuencia de la transición: pie = 200 megaciclos (tipo.)

• Complementario a 2SA1930

Características eléctricas (Tc = 25°C)

Características

Símbolo

Condición de prueba

Minuto

Tipo.

Máximo

Unidad

Corriente de atajo de colector

ICBO

VCB = 180 V, IE = 0

-

-

5,0

μA

Corriente del atajo del emisor

IEBO

VEB = 5 V, IC = 0

-

-

5,0

μA

voltaje de avería del Colector-emisor

CEO DE V (BR)

IC = 10 mA, IB = 0

180

-

-

V

Aumento actual de DC

hFE (1)

VCE = 5 V, IC = 0,1 A

100

-

320

hFE (2)

VCE = 5 V, IC = 1 A

50

-

-

voltaje de saturación del Colector-emisor

VCE (se sentó)

IC = 1 A, IB = 0,1 A

-

0,16

1,0

V

Voltaje del emisor de base

VBE

VCE = 5 V, IC = 1 A

-

0,68

1,5

V

Frecuencia de la transición

pie

VCE = 5 V, IC = 0,3 A

-

200

-

Megaciclo

Capacitancia de salida del colector

Mazorca

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 megaciclo

-

16

-

PF

Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)

Características

Símbolo

Grado

Unidad

voltaje de la Colector-base

VCBO

180

V

voltaje del Colector-emisor

VCEO

180

V

voltaje de la Emisor-base

VEBO

5

V

Corriente de colector

IC

2

Corriente baja

IB

1

Disipación de poder del colector

TA = 25°C

PC

2,0

W

Tc = 25°C

20

Temperatura de empalme

Tj

150

°C

Gama de temperaturas de almacenamiento

Tstg

−55a150

°C

Usos


• Usos del amplificador de potencia

• Conductor Stage Amplifier Applications

2SC5171 .pdf

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