Alto chip CI programable/CD4069 Cmos IC de la inmunidad de ruido con seis circuitos de inversor
programmable logic ic
,CD4069
,CMOS IC
INMERSIÓN CD4069 Cmos IC con seis lógicas programables IC de los circuitos de inversor DIP-14
DESCRIPCIÓN
El UTC CD4069 es un Cmos IC con seis circuitos de inversor y diseñado para usar del rango de operación ancho de la fuente de alimentación, del bajo consumo de energía, de la alta inmunidad de ruido, y de la subida y de los tiempos de caída controlados simétricos. IC es capaz de la protección del ESD por las abrazaderas del diodo a VDD y al VSS.
CARACTERÍSTICAS
* gama ancha del voltaje de fuente: 3.0V ~ 15V.
* alta inmunidad de ruido: 0,45 tipos de VDD.
* compatibilidad de TTL de la energía baja: De 2 de la fan que conduce 74L o 1 74LS de conducción.
Paquete disponible
CD4069-D14-T DIP-14
CD4069-S14-R SOP-14
CD4069-S14-T SOP-14
Circuito de inversor Cmos IC
Un cierto número de parte de las mismas tecnologías de Unisonic de la fabricación
Circuito de inversor de CD4069-D14-T Cmos IC
Detectores del voltaje 81N19L-H-AB3-I-R CON TIEMPO de retraso incorporado
U3525 que regula PWM IC
Supervisores de la fuente de alimentación de la PC 3512-D14-T
Detectores del voltaje 81N46L-H-AB3-I-R CON TIEMPO de retraso incorporado
60N06 60 amperios, 60 voltios del canal N de Mosfet del poder
Transistor de la BAJA tensión del poder medio 2SD882S
UTC3521 CMOS IC
Conductor reversible del motor de BA6208-D08-T
Comparador del voltaje de la energía baja de TS391AB solo
Regulador de voltaje linear del marginado BAJO de UR132-12-AE3-3-R 200ma
2SC5027-N-TF3-T: Confiabilidad de alto voltaje Y ALTA
2SD1616L-L-G03-T: Transistor epitaxial del silicio de NPN
1812AL-S8-R: Solo generador de sonidos
2 A.C. DEL SB 649 - T6C-R: Transistor de fines generales del poder bipolar
BC850-B-AL3-R: Uso de la transferencia Y del amplificador
2 SD 882 - DESPEGUE 9 NOTA: Transistor de la BAJA tensión del poder medio
82C54L-AE3-5-R: Los DETECTORES del VOLTAJE la serie del UTC 82CXX son detectores del voltaje de los terminales del buen funcionamiento 3 y fabricado por las tecnologías con altamente exacto, bajo consumo de energía del Cmos. El voltaje de la detección es extremadamente exacto con la deriva mínima de la temperatura.
BAT54SG-AE3-R: 0,2 A, 30 V, 2 ELEMENTO, SILICIO, especificaciones del DIODO de SEÑAL: Tipo del diodo: Fines generales; SI: 200 mA; Paquete: HALÓGENO LIBRE, PACKAGE-3 PLÁSTICO; Pin Count: 3; Número de diodos: 2
LR1108L-18-AF5-R: Especificaciones POSITIVAS FIJAS del REGULADOR de LDO: Tipo del regulador: Marginado bajo; Polaridad de la salida: Positivo; Tipo del voltaje de salida: Fijado; Etapa del ciclo de vida: ACTIVO
M2115G-S08-R: OP-AMP DUAL, 6000 OFFSET-MAX ultravioleta, ANCHO DE BANDA de 12 megaciclos, especificaciones PDIP8: Voltaje de fuente (CONTRA): 2,5 voltios; IBIAS: 0,3000 ÂΜA; CMRR: DB 74; Tarifa de ciénaga: 4 V/µs; Temperatura de funcionamiento: -40 a 85 C (- 40 a 185 F); Tipo del paquete: INMERSIÓN, HALÓGENO LIBRE, DIP-8; Número de pernos: 8; Número de dispositivos: 2
MJE13002B: 200 mA, 400 V, NPN, Si, PEQUEÑO TRANSISTOR de la SEÑAL, especificaciones TO-92: Polaridad: NPN; Tipo del paquete: TO-92, TO-92, PIN 3
81C43-R-AE3-3-R: IC, DETECTOR DE VOLTIO, FIJADO, +4.3V, CMOS, TO-243,3PIN, PLÁSTICO
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485