Enviar mensaje
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Microprocesador de memoria Flash de la COPITA SOP-54 64 Mbit 143 megaciclos ISSI IS42S16400J-7TLI para los monitores LCD

Microprocesador de memoria Flash de la COPITA SOP-54 64 Mbit 143 megaciclos ISSI IS42S16400J-7TLI para los monitores LCD

fabricante:
Fabricante
Descripción:
La memoria IC 64Mbit de SDRAM es paralelo a 143 megaciclos 5,4 ns 54-TSOP II
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Serie:
IC
Voltaje:
3.3V
Característica:
Chip de memoria de la COPITA
Uso:
Monitores LCD, tv de pantalla plana, impresoras, GPS, MP3
Paquete:
SOIC-54
Frecuencia de reloj:
143 megaciclos
Punto culminante:

IS42S16400J

,

IS42S1

,

IS42S16400J-7TLI

Introducción

Marca del chip de memoria SOP-54 64 Mbit 143 megaciclo ISSI de la COPITA de IS42S16400J-7TLI

DESCRIPCIONES GENERALES

La COPITA síncrona del 64Mb de ISSI se organiza como 1.048.576 banco de 16 bits de los pedazos x x 4 para el funcionamiento mejorado. Las copitas síncronas alcanzan transferencia de datos de alta velocidad usando arquitectura de la tubería. Todas las entradas y señales de salidas refieren al borde de levantamiento de la entrada de reloj.

CARACTERÍSTICAS
• Frecuencia de reloj: 200, 166, 143, 133 megaciclos
• Completamente síncrono; todas las señales se refirieron a un borde de reloj positivo
• Banco interno para el acceso/la precarga de ocultación de la fila
• Sola fuente de alimentación 3.3V
• Interfaz de LVTTL
• Longitud estallada programable
– (1, 2, 4, 8, página completa)
• Secuencia estallada programable: Secuencial/interpolación
• El uno mismo restaura modos
• El auto restaura (CBR)
• 4096 restauran ciclos cada grado (COM, Ind, A1) ms de 64 o 16ms (el grado A2)
• Dirección de columna al azar cada ciclo de reloj
• Estado latente programable de CAS (2, 3 relojes)
• De lectura/grabación estallada y la explosión leída/solos escriben capacidad de operaciones
• Terminación de la explosión por la parada y el comando estallados de la precarga
Descripción
El 64Mb SDRAM es un Cmos de alta velocidad, memoria de acceso aleatorio dinámica diseñada para actuar en los sistemas de memoria 3.3V que contienen 67.108.864 pedazos. Internamente configurado como COPITA del patio-banco con un interfaz síncrono. Cada banco mordido 16.777.216 es organizado como 4.096 filas por 256 columnas por 16 pedazos. El 64Mb SDRAM incluye un AUTO RESTAURA MODO, y un poder-ahorro, modo del poder-abajo. Todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK. Todas las entradas y salidas son LVTTL compatibles. El 64Mb SDRAM tiene la capacidad de estallar síncrono datos a una alta tarifa con la generación automática de la columna-dirección, la capacidad de datos de interpolar entre los bancos internos para ocultar tiempo de la precarga y la capacidad para cambiar aleatoriamente direcciones de columna en cada ciclo de reloj durante el acceso estallado. Una precarga uno mismo-sincronizada de la fila iniciada en el final del sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction estallado permitió. Precargue un banco mientras que el acceso de uno de los otros tres bancos ocultará los ciclos de la precarga y proporcionará la operación inconsútil, de alta velocidad, de acceso aleatorio. SDRAM leyó y escribe accesos es el comenzar orientado explosión en una ubicación seleccionada y continuación para un número programado de ubicaciones en una secuencia programada. El registro de un comando ACTIVO comienza los accesos, seguidos por una LECTURA o ESCRIBE comando. El comando ACTIVO conjuntamente con los pedazos de la dirección registradoes se utiliza para seleccionar el banco y la fila que se alcanzarán (BA0, BA1 seleccionan el banco; A0-A11 seleccionan la fila). La LECTURA o ESCRIBIR comandos conjuntamente con los pedazos de la dirección registradoes se utiliza para seleccionar la ubicación de la columna que comienza para el acceso estallado. La LECTURA programable o ESCRIBE longitudes estalladas consiste en 1, 2, 4 y 8 ubicaciones, o la página completa, con una explosión para terminar la opción.

IS42S16400J-7TLI

IS42S16400F-7TLI

IS42S16100E-7TLI

IS42S16800F-7TLI

IS42S16160J-6BLI

IS42S16320B-7TL

IS42S32200L-7BLI

IS42S32400D-6BL

IS42S32800D-7TLI


PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs