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Serial micro del chip CI SST25VF080B 8 Mbit SPI de memoria Flash con frecuencia de reloj de alta velocidad

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Memoria Flash IC 8Mbit SPI 50 megaciclos 8-SOIC
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Serie:
SST25VF080B-50-4C-S2AF
Voltaje:
2.7-3.6V
Característica:
Bajo consumo de energía
Capacidad de memoria:
8M-bit
Uso:
Monitores LCD, tv de pantalla plana, impresoras, GPS, MP3
Paquete:
SOIC8 DIP8
Frecuencia de reloj:
50/66 megaciclo
Interfaz:
Flash serial de SPI
Punto culminante:

serial flash memory

,

serial flash chip

Introducción

Flash serial del microchip SST25VF080B 8 Mbit SPI de IC del microprocesador de memoria Flash con frecuencia de reloj de alta velocidad

DESCRIPCIONES GENERALES

la familia de destello serial de 25 series ofrece un de cuatro cables, el interfaz de SPIcompatible que permite un paquete bajo de la perno-cuenta que ocupe menos espacio del tablero y baje en última instancia costes de sistema totales. Los dispositivos de SST25VF080B se aumentan con frecuencia de funcionamiento mejorada y el consumo de una energía más baja. Memorias Flash seriales de SST25VF080B SPI se fabrican con tecnología propietaria, de alto rendimiento del Cmos SuperFlash. El inyector que hace un túnel del diseño y del grueso-óxido de la célula de la fractura-puerta logra una mejor confiabilidad y el manufacturability comparados con acercamientos alternos.

Los dispositivos de SST25VF080B mejoran perceptiblemente funcionamiento y confiabilidad, mientras que bajan el consumo de energía. Los dispositivos escriben (programa o borrado) con una sola fuente de alimentación de 2.7-3.6V para SST25VF080B. La energía total consumida es una función del voltaje aplicado, actual, y de la época del uso. Desde entonces para cualquier gama dada del voltaje, la tecnología de SuperFlash utiliza menos actual al programa y tiene un rato más corto del borrado, la energía total consumida durante cualquier borrado o la operación del programa es menos que tecnologías de memoria Flash alternativas.

El dispositivo de SST25VF080B se ofrece en 8 la ventaja SOIC (200 milipulgadas), 8 el contacto WSON (6m m x 5m m), y 8 paquetes de la ventaja PDIP (300 milipulgadas).

CARACTERÍSTICAS

• Sola lectura del voltaje y escribir operaciones
- 2.7-3.6V

• Arquitectura de la interfaz en serie
- SPI compatible: Modo 0 y modo 3

• Frecuencia de reloj de alta velocidad
- 50/66 megaciclo de condicional

• Confiabilidad superior
- Resistencia: 100.000 ciclos (de típico)
- Mayor de 100 años de retención de los datos

• Bajo consumo de energía:
- Corriente leída activa: 10 mA (de típico)
- Corriente espera: µA 5 (típico)

• Capacidad flexible del borrado
- 4 sectores uniformes del kilobyte
- El kilobyte uniforme 32 cubrió bloques
- El kilobyte uniforme 64 cubrió bloques

• Borrado y Byte-programa rápidos:
- Tiempo del Microprocesador-borrado: ms 35 (típico)
- Tiempo de Sector-/Block-Erase: ms 18 (típico)
- Tiempo del Byte-programa: 7 µs (típicos)

• Programación auto del incremento de la dirección (AAI)
- Tiempo programado del microprocesador del total de la disminución sobre operaciones del Byte-programa
El arsenal de la memoria de SST25VF080B SuperFlash se organiza en uniforme 4 sectores borrables del kilobyte con 32 que el kilobyte cubrió bloques y el kilobyte 64 cubrió bloques borrables.

Exceso de inventario de CM GROUP:

SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AE
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T
SST25VF080B-50-4C-QAF
SST25VF080B-50-4C-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAF
SST25VF080B-50-4I-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAE
SST25VF080B-50-4I-QAE-T
SST25VF080B-50-4C-PAE
SST25VF080B-50-4C-PAE-T

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