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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
1 V
Identificación - corriente continua del dren:
A 14,4
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
60 V
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
10 V
Qg - carga de la puerta:
121 nC
Paladio - disipación de poder:
5,4 W
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3

CARACTERÍSTICAS

  • MOSFETs del poder de TrenchFET®
  • Clasificación material:

para las definiciones de la conformidad vea por favor www.vishay.com/doc?99912

RESUMEN DEL PRODUCTO

VDS (v)

RDS (encendido) ()

Identificación (a)

-60

0,0145 en VGS = -10 V

-14,4

0,0190 en VGS = -4,5 V

-12,6

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente)

PARÁMETRO

SÍMBOLO

10 s

DE ESTADO ESTACIONARIO

UNIDAD

Voltaje de la Dren-fuente

VDS

-60

V

Voltaje de la Puerta-fuente

VGS

± 20

Corriente continua del dren (TJ = 150 °C) a

TA =25°C

Identificación

-14,4

-8,6

TA =70°C

-11,5

-6,9

Corriente pulsada del dren

IDM

-60

Corriente de fuente continua (conducción) del diodo a

ES

-4,5

-1,6

Corriente de la avalancha

L = 0,1 Mh

IAS

50

Sola energía de la avalancha del pulso

EAS

125

mJ

Disipación de poder máxima a

TA =25°C

Paladio

5,4

1,9

W

TA =70°C

3,4

1,2

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

TJ, Tstg

-55 a +150

°C

Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) b, c

260

GRADOS DE LA RESISTENCIA TERMAL

PARÁMETRO

SÍMBOLO

TÍPICO

MÁXIMO

UNIDAD

A Empalme-a-ambiente máxima

 10 s de t

RthJA

18

23

°C/W

De estado estacionario

52

65

Empalme-a-caso máximo (dren)

De estado estacionario

RthJC

1

1,3
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