MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7139DP-T1-GE3
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7139DP-T1-GE3
CARACTERÍSTICAS
-
MOSFET del poder de TrenchFET®
-
El 100% Rg y UIS probaron
• Clasificación material:
USOS
• Ordenador portátil
- Interruptor del adaptador
- Interruptor de batería
- Interruptor de la carga
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RESUMEN DEL PRODUCTO |
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VDS (v) |
RDS (encendido) () |
Identificación (a) |
Qg (TIPO.) |
|
-30 |
0,0055 en VGS = -10 V |
-40 d |
49,5 nC |
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0,0090 en VGS = -4,5 V |
-40 d |
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GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente) |
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PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
LÍMITE |
UNIDAD |
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Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
-30 |
V |
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Voltaje de la Puerta-fuente |
VGS |
± 20 |
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Corriente continua del dren (TJ = °C) 150 |
TC =25°C |
Identificación |
-40 d |
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TC =70°C |
-40 d |
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TA =25°C |
-22,4 a, b |
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|
TA =70°C |
-17,9 a, b |
|||
|
Corriente pulsada del dren |
IDM |
-70 |
||
|
Corriente de diodo continua del Fuente-dren |
TC =25°C |
ES |
-40 d |
|
|
TA =25°C |
-4,5 a, b |
|||
|
Corriente de la avalancha |
L = 0,1 Mh |
IAS |
30 |
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Energía de la avalancha del Solo-pulso |
EAS |
45 |
mJ |
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Disipación de poder máxima |
TC =25°C |
Paladio |
48 |
W |
|
TC =70°C |
30 |
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TA =25°C |
5 a, b |
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|
TA =70°C |
3,2 a, b |
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|
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
TJ, Tstg |
-55 a 150 |
°C |
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Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) e, f |
260 |
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GRADOS DE LA RESISTENCIA TERMAL |
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PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
TÍPICO |
MÁXIMO |
UNIDAD |
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|
A Empalme-a-ambiente máxima, c |
10 s de t |
RthJA |
20 |
25 |
°C/W |
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Empalme-a-caso máximo |
De estado estacionario |
RthJC |
2,1 |
2,6 |
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
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