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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3
fabricante:
Fabricante
Descripción:
P-canal 30 V 19.7A (Tc) 2.5W (TA), soporte 8-SOIC de la superficie 5.7W (Tc)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Fabricante:
VISHAY
Categoría de producto:
MOSFET
Tecnología:
Si
Montaje de estilo:
SMD/SMT
Paquete/caso:
SO-8
Número de canales:
1 canal
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

CARACTERÍSTICAS

  • Halógeno-libre según la definición del IEC 61249-2-21

  • MOSFET del poder de TrenchFET®

  • El 100% Rg probado

USOS

•Interruptores de la carga

- PC del cuaderno

- PC de escritorio

RESUMEN DEL PRODUCTO

VDS (v)

RDS (encendido) (Ω)

Identificación (A) a

Qg (tipo.)

- 30

0,0098 en VGS = 10 V

- 19,7

27 nC

0,0165 en VGS = 4,5 V

- 15,2

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente

Parámetro

Símbolo

Límite

Unidad

Voltaje de la Dren-fuente

VDS

- 30

V

Voltaje de la Puerta-fuente

VGS

± 20

Corriente continua del dren (TJ = °C) 150

TC =25°C

Identificación

- 19,7

TC =70°C

- 15,7

TA = °C 25

- 13b, c

TA = °C 70

- 10.4b, c

Corriente pulsada del dren

IDM

- 50

Corriente de diodo continua del Fuente-dren

TC =25°C

ES

- 4,7

TA = °C 25

- 2.1b, c

Disipación de poder máxima

TC =25°C

Paladio

5,7

W

TC =70°C

3,6

TA = °C 25

2.5b, c

TA = °C 70

1.6b, c

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

TJ, Tstg

- 55 a 150

°C

GRADOS DE LA RESISTENCIA TERMAL

Parámetro

Símbolo

Típico

Máximo

Unidad

Máximo Empalme-a-Ambientb, d

≤ 10 s de t

RthJA

35

50

°C/W

Empalme-a-pie máximo (dren)

De estado estacionario

RthJF

18

22
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