MOD nana sin aislar de los convertidores 650mA del transistor de poder del Mosfet de LMZ10500SILR DC/DC con VINTAGE de 5.5V Max Inpt
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOD nana sin aislar de los convertidores 650mA del transistor de poder del Mosfet de LMZ10500SILR DC/DC con VINTAGE de 5.5V Max Inpt
Características 1
- Corriente de salida hasta 650 mA
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El voltaje entrado se extiende 2,7 V a 5,5 V
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Gama 0,6 V a 3,6 V del voltaje de salida
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Eficacia el hasta 95%
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Inductor integrado
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huella del microSiP 8-Pin
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– 40°C a la gama de temperaturas de empalme 125°C
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Voltaje de salida ajustable
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2-MHz fijó frecuencia que cambiaba de PWM
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Remuneración integrada
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Función del Suave-principio
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Protección actual del límite
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Protección termal del cierre
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Voltaje entrado UVLO para el ciclo inicial, el poder-Abajo, y las condiciones del apagón
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Solamente 5 componentes externos — Divisor del resistor y 3 condensadores de cerámica
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Pequeño tamaño de la solución
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Ondulación baja del voltaje de salida
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Selección componente fácil y disposición simple del PWB
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La eficacia alta reduce la generación de calor del sistema
2 usos
• Punto de las conversiones de la carga de los carriles 3.3-V y 5-V
• El espacio obligó usos • Usos bajos del ruido de la salida
Descripción 3
El módulo nano LMZ10500 es una solución descender fácil de usar de DC/DC capaz de conducir la carga de hasta 650 mA en usos espacio-obligados. Solamente un condensador de la entrada, un condensador de la salida, un pequeño condensador del filtro de VCON, y dos resistores se requieren para la operación básica. El módulo nano viene en un paquete de la huella del μSiP de 8 pernos con un inductor integrado. El límite actual interno basó la función del suave-principio, protección contra sobrecarga actual, y el cierre termal también se proporciona.
Información del dispositivo
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NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
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LMZ10500 |
μSiP (8) |
3,00 milímetros de × 2,60 milímetros |

