Bloque II de NexFET Pwr del dólar de la sincronización del MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD87381P
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Bloque II de NexFET Pwr del dólar de la sincronización del MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD87381P
Características 1
- Bloque de poder del semipuente
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Eficacia de sistema del 90% en 10 A
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Hasta 15 una operación
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Alta densidad – 3 huella del milímetro LGA del × 2,5
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Capacidad de enfriamiento lateral doble
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Perfil ultrabajo – 0,48 milímetros de máximo
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Optimizado para la impulsión de la puerta de 5 V
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Pérdidas que cambian bajas
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Paquete de baja inductancia
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RoHS obediente
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Halógeno libre
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Pb libre
2 usos
• Buck Converters síncrono
– Usos de gran intensidad, bajos del ciclo de trabajo
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Buck Converters síncrono polifásico
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Convertidores del POLÍTICO DC-DC
Descripción 3
El bloque de poder de CSD87381P NexFETTM II es un diseño altamente optimizado para los usos síncronos del dólar que ofrecen capacidad de la eficacia de gran intensidad y alta en un pequeño × de 3 milímetros esquema de 2,5 milímetros. Optimizado para 5 usos de la impulsión de la puerta de V, este producto ofrece una solución eficiente y flexible capaz de proporcionar una fuente de alimentación de alta densidad cuando está emparejado con cualquier conductor de la puerta 5 V de un regulador/de un conductor externos.
Información del dispositivo
Dispositivo |
Medios |
Qty |
Paquete |
Nave |
CSD87381P |
carrete 13-Inch |
2500 |
3 × 2,5 LGA |
Cinta y carrete |
CSD87381PT |
carrete 7-Inch |
250 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

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Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

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