MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
-
Resistencia termal baja
-
Avalancha clasificada
-
Nivel de la lógica
-
Galjanoplastia terminal libre del Pb
-
RoHS obediente
-
Halógeno libre
-
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
-
Conversión de DC-DC
-
Rectificador síncrono lateral secundario
-
Control del motor de acumuladores
Descripción 3
Este 40 V, 2,5 mΩ, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se han diseñado para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
40 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
20 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
5,9 |
nC |
|
|
RDS (encendido) |
En-resistencia de la Dren-a-fuente |
VGS = 4,5 V |
3,3 |
mΩ |
|
VGS =10V |
2,5 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,8 |
V |
|
Información el ordenar (1)
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Dispositivo |
Qty |
Medios |
Paquete |
Nave |
|
CSD18501Q5A |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros |
Cinta y carrete |
|
CSD18501Q5AT |
250 |
carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
|
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
40 |
V |
|
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±20 |
V |
|
Identificación |
Corriente continua del dren (paquete limitado) |
100 |
|
|
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C |
161 |
||
|
Continuo drene (1) actual |
22 |
|
|
|
IDM |
Corriente pulsada del dren (2) |
400 |
|
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
3,1 |
W |
|
Disipación de poder, TC = 25°C |
150 |
||
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TJ, Tstg |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =68A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
231 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485