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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MOSFET 30V, MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet CSD17575Q3 de NexFET Pwr del canal N

MOSFET 30V, MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet CSD17575Q3 de NexFET Pwr del canal N

MOSFET 30V, MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet CSD17575Q3 de NexFET Pwr del canal N
MOSFET 30V, MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet CSD17575Q3 de NexFET Pwr del canal N
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 30 V 60A (TA) 2.8W (TA), 108W (Tc) soporte 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) de la superficie
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,001570 onzas
Tiempo de retraso de abertura típico:
4 ns
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:
20 ns
Subcategoría:
MOSFETs
Tiempo de subida:
10 ns
Tiempo de caída:
3 ns
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET 30V, MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet CSD17575Q3 de NexFET Pwr del canal N

Características 1

  • Qg y Qgd bajos

  • RDS bajo (encendido)

  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal libre del Pb

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros

2 usos

  • Punto de la carga Buck Converter síncrono para los usos en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo

  • Optimizado para los usos síncronos del FET

Descripción 3

Este 1,9 mΩ, 30 V, MOSFET del poder del HIJO 3×3 NexFETTM se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C VALOR TÍPICO UNIDAD
VDS Voltaje de la Dren-a-fuente 30 V
Qg Total de la carga de la puerta (4.5V) 23 nC
Qgd Puerta-a-dren de la carga de la puerta 5,4 nC
RDS (encendido) Dren-a-fuente en resistencia VGS = 4,5 V 2,6 mΩ
VGS =10V 1,9
Vth Voltaje del umbral 1,4

V

Información el ordenar

Dispositivo

Medios

Qty

Paquete

Nave

CSD17575Q3

carrete 13-Inch

2500

× del HIJO 3,3 paquete plástico de 3,3 milímetros

Cinta y carrete

CSD17575Q3T

carrete 13-Inch

250

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

30

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (límite del paquete)

60

Corriente continua del dren (límite) del silicio, TC = 25°C

182

Corriente continua del dren (1)

27

IDM

Corriente pulsada del dren (2)

240

Paladio

Disipación de poder (1)

2,8

W

Disipación de poder, TC = 25°C

108

TJ, Tstg

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =48, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

115

mJ
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