MOSFET 30V, MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17573Q5B de NexFET Pwr del canal N
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET 30V, MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17573Q5B de NexFET Pwr del canal N
Características 1
- Qg y Qgd bajos
-
RDS ultrabajo (encendido)
-
Resistencia Bajo-termal
-
Avalancha clasificada
-
Galjanoplastia terminal sin plomo
-
RoHS obediente
-
Halógeno libre
-
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
-
Punto-de-carga Buck Converter síncrono para los usos en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
-
Optimizado para los usos síncronos del FET
Descripción 3
Este 0,84 mΩ, 30-V, HIJO MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
49 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
11,9 |
nC |
|
|
RDS (encendido) |
Dren-a-fuente en resistencia |
VGS = 4,5 V |
1,19 |
mΩ |
|
VGS =10V |
0,84 |
|||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,4 |
V |
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Información del dispositivo
|
DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
|
CSD17573Q5B |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros |
Cinta y carrete |
|
CSD17573Q5BT |
250 |
carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
|
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±20 |
V |
|
Identificación |
Continuo drene la corriente (Package Limited) |
100 |
|
|
Continuo drene la corriente (Silicon Limited), TC = 25°C |
332 |
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|
Corriente continua del dren (1) |
43 |
||
|
IDM |
Corriente pulsada del dren (2) |
400 |
|
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
3,2 |
W |
|
Disipación de poder, TC = 25°C |
195 |
||
|
TJ, Tstg |
Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =76, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
289 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485