MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
- Extremadamente - resistencia baja
-
Qg y Qgd ultrabajos
-
Resistencia Bajo-termal
-
Avalancha clasificada
-
Galjanoplastia terminal sin plomo
-
RoHS obediente
-
Halógeno libre
-
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
-
Punto del dólar síncrono de la carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
-
Rectificación síncrona
-
Usos activos del anillo o y del Hotswap
Descripción 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseña para minimizar pérdidas en la rectificación síncrona y otros usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
30 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
7,5 |
nC |
|
|
RDS (encendido) |
En-resistencia de la Dren-a-fuente |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
1,2 |
|||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,4 |
V |
|
Información del dispositivo
|
DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
|
CSD17556Q5B |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros |
Cinta y carrete |
|
CSD17556Q5BT |
250 |
Grados máximos absolutos
|
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±20 |
V |
|
Identificación |
Continuo drene la corriente (Package Limited) |
100 |
|
|
Continuo drene la corriente (Silicon Limited), TC = 25°C |
215 |
||
|
Corriente continua del dren (1) |
34 |
||
|
IDM |
Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (1) (2) |
400 |
|
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
3,1 |
W |
|
Disipación de poder, TC = 25°C |
191 |
||
|
TJ, Tstg |
Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =100A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
500 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485