MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 30V del transistor de poder del Mosfet CSD17313Q2
Características 1
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
-
Qg y Qgd ultrabajos
-
Resistencia termal baja
-
Pb-libre
-
RoHS obediente
-
Halógeno-libre
-
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros
2 usos
-
Convertidores de DC-DC
-
Usos de la gestión de la batería y de la carga
Descripción 3
Este 30-V, 24 mΩ, 2 milímetros x MOSFET del poder de NexFETTM del HIJO de 2 milímetros se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V. El × de 2 milímetros HIJO de 2 milímetros ofrece el funcionamiento termal excelente para el tamaño del paquete.
Resumen del producto
(1) para todos los paquetes disponibles, vea el addendum ordenable en el extremo de la hoja de datos.
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
2,1 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
0,4 |
nC |
|
|
RDS (encendido) |
Dren-a-fuente en resistencia |
VGS = 3 V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
26 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 V |
24 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,3 |
V |
|
Información el ordenar
|
NÚMERO DE PARTE |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
|
CSD17313Q2 |
3000 |
carrete 13-Inch |
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros |
Cinta y carrete |
|
CSD17313Q2T |
250 |
carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
|
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
+10/– 8 |
V |
|
Identificación |
Corriente continua del dren (paquete limitado) |
5 |
|
|
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C |
19 |
||
|
Corriente continua del dren (1) |
7,3 |
||
|
IDM |
Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) |
57 |
|
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
2,4 |
W |
|
Disipación de poder, TC = 25°C |
17 |
||
|
TJ, TSTG |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, solo pulso, identificación =19A, L=0.1mH, RG =25Ω |
18 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485