MosFET del MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD16556Q5B
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MosFET del MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD16556Q5B
Características 1
- Extremadamente - resistencia baja
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Dólar síncrono de la Punto-de-carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Optimizado para los usos síncronos del FET
Descripción 3
Este 25 V, 0,9 mΩ, × 5 MOSFET del poder de NexFETTM del HIJO de 6 milímetros se diseñan para minimizar pérdidas en la rectificación síncrona y otros usos de la conversión de poder.
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 25 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 36 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 12 | nC | |
RDS (encendido) | En-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 4,5 V | 1,2 | mΩ |
VGS =10V | 0,9 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,4 | V | |
Dispositivo | Medios | Qty | Paquete | Nave |
CSD16556Q5B | carrete 13-Inch | 2500 | HIJO paquete plástico de 5 x 6 milímetros | Cinta y carrete |
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