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MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
4,5 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
580 milivoltio
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
9,3 mOhms
Identificación - Corriente continua del dren:
A 14,4
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
12 V
Qg - carga de la puerta:
5,1 nC
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2

Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos
  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal sin plomo

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros

2 usos

  • Optimizado para los usos del interruptor de la carga

  • Almacenamiento, tabletas, y dispositivos de bolsillo

  • Optimizado para los usos del FET del control

  • Punto de la carga Buck Converters síncrono

Descripción 3

Este 12-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,5 mΩ se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la conversión y de la carga de poder. El funcionamiento termal excelente de las ofertas del × 2 del HIJO 2 para el tamaño del paquete.

Resumen del producto

TA = 25°C

VAUE TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

12

V

Qg

Total de la carga de la puerta (4,5 V)

5,1

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

0,76

nC

RDS (encendido)

En-resistencia de la Dren-a-fuente

VGS = 2,5 V

9,1

VGS = 4,5 V

7,5

VGS (th)

Voltaje del umbral

0,8

V

Información del dispositivo

DISPOSITIVO

MEDIOS

QTY

PAQUETE

NAVE

CSD13202Q2

carrete 7-Inch

3000

HIJO 2,00 milímetros de × paquete plástico de 2,00 milímetros

Cinta y carrete

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

12

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±8

V

Identificación

Corriente continua del dren (límite del paquete)

22

Corriente continua del dren (1)

14,4

IDM

Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)

76

Paladio

Disipación de poder (1)

2,7

W

TJ, TSTG

Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =20A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

20

mJ

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