Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET del MOSFET 30V NCh NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Características 1
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
-
Qg y Qgd ultrabajos
-
Resistencia termal baja
-
Avalancha clasificada
-
Galjanoplastia terminal libre del Pb
-
RoHS obediente
-
Halógeno libre
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VSON 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros
2 usos
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Punto del cuaderno de la carga
-
Dólar síncrono de la Punto-de-carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Descripción 3
Este 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET del poder del milímetro VSON NexFETTM del × 3,3 del milímetro se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V.
Resumen del producto
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TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
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VDS |
voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
3,9 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta de la carga de la puerta a drenar |
0,8 |
nC |
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|
RDS (encendido) |
Dren-a-fuente en resistencia |
VGS = 3 V |
12,5 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
9,4 |
mΩ |
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|
VGS = 8 V |
8,2 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,3 |
V |
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Información el ordenar
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
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CSD17308Q3 |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros |
Cinta y carrete |
Grados máximos absolutos
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TA = 25°C salvo que se indique lo contrario |
VALOR |
UNIDAD |
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VDS |
voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
|
VGS |
voltaje de la Puerta-a-fuente |
+10/– 8 |
V |
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Identificación |
Continuo drene la corriente (Package Limited) |
50 |
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Corriente continua del dren, TC = 25°C |
44 |
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Corriente continua del dren (1) |
14 |
||
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IDM |
Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) |
167 |
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Paladio |
Disipación de poder (1) |
2,7 |
W |
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Disipación de poder, TC = 25°C |
28 |
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TJ, Tstg |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
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EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =36A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
65 |
mJ |