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MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH del transistor de poder del Mosfet de STP4NK60ZFP

MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH del transistor de poder del Mosfet de STP4NK60ZFP
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
70 W
Configuración:
Solo
Modo del canal:
Aumento
Altura:
9,3 milímetros
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH del transistor de poder del Mosfet de STP4NK60ZFP

Características

Códigos de orden

VDS

Máximo del RDS (encendido).

PTOT

Identificación

STP4NK60Z

600 V

70 W

4A

STP4NK60ZFP

  • la avalancha 100% probó

  • Capacitancias intrínsecas muy bajas • Zener-protegido

Usos

• Usos que cambian

Descripción

Estos dispositivos son MOSFETs Zener-protegidos canal N del poder desarrollados usando la tecnología de SuperMESHTM de STMicroelectronics, alcanzada con la optimización de la disposición tira-basada establecida de PowerMESHTM del ST. Además de una reducción significativa adentro en resistencia, este dispositivo se diseña para asegurar un nivel de la capacidad de dv/dt para los usos más exigentes.

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