Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Paladio - disipación de poder:
200 W
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 175 C
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Qg - carga de la puerta:
150 nC
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
10 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2,5 V
Punto culminante:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220
Características
|
Código de orden |
VDS |
RDS (encendido) máximo |
Identificación |
PTOT |
|
STP110N8F6 |
80 V |
0,0065 Ω |
110 A |
200 W |
-
En-resistencia muy baja
-
Carga baja misma de la puerta
-
Alta aspereza de la avalancha
-
Apagón bajo de la impulsión de la puerta
Usos
• Usos que cambian
Descripción
Este dispositivo es un MOSFET del poder del canal N se convirtió usando la tecnología de STripFETTM F6 con una nueva estructura de la puerta del foso. El MOSFET resultante del poder exhibe el RDS muy bajo (encendido) en todos los paquetes.
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