MOSFET N-Ch del transistor de poder del Mosfet STP55NF06 60 voltios 55 amperios
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
18 mOhms
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2 V
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
10 V
Qg - carga de la puerta:
44,5 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 175 C
Punto culminante:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
MOSFET N-Ch del transistor de poder del Mosfet STP55NF06 60 voltios 55 amperios
Características
| Código de orden | VDSS | Máximo del RDS (encendido). | Identificación |
| STB55NF06 | 60 V | < 0=""> | 50 A |
| STP55NF06 | |||
| STP55NF06FP |
1. Refiera al soa para el valor actual permisible máximo en el Punto de congelación-tipo debido al valor de Rth
- la avalancha 100% probó
- Capacidad excepcional de dv/dt
Usos
- Uso que cambia
Descripción
Estos MOSFETs del poder se han desarrollado usando el proceso único de STripFET de STMicroelectronics, que se diseña específicamente para minimizar capacitancia de la entrada y la carga de la puerta. Esto hace los dispositivos convenientes para el uso como interruptor primario en los convertidores aislados de gran eficacia avanzados de la C.C. DC para las telecomunicaciones y las aplicaciones informáticas, y los usos con la carga baja de la puerta que conduce requisitos.
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