MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM del transistor de poder del Mosfet de NTMFS4833NT1G
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM del transistor de poder del Mosfet de NTMFS4833NT1G
Características
• RDS bajo (encendido) para minimizar pérdidas de la conducción
• Capacitancia baja para minimizar al conductor Losses
• Carga optimizada de la puerta para minimizar pérdidas que cambian
• Éstos son dispositivos de Pb−Free
Usos
• Refiera a la nota de uso AND8195/D
• Entrega de poder de la CPU
• Convertidores de DC−DC
• Transferencia lateral baja
GRADOS MÁXIMOS (TJ = 25°C salvo que se indique lo contrario)
|
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
||
|
Voltaje de Drain−to−Source |
VDSS |
30 |
V |
||
|
Voltaje de Gate−to−Source |
VGS |
±20 |
V |
||
|
Dren continuo RqJA actual (nota 1) |
De estado estacionario |
TA = 25°C |
Identificación |
28 |
|
|
TA = 85°C |
20,5 |
||||
|
Disipación de poder RqJA (nota 1) |
TA = 25°C |
Paladio |
2,7 |
W |
|
|
Dren continuo RqJA actual (nota 2) |
TA = 25°C |
Identificación |
16 |
|
|
|
TA = 85°C |
12 |
||||
|
Disipación de poder RqJA (nota 2) |
TA = 25°C |
Paladio |
1,1 |
W |
|
|
Continuo drene RqJC actual (nota 1) |
TC = 25°C |
Identificación |
191 |
|
|
|
TC = 85°C |
138 |
||||
|
Disipación de poder RqJC (nota 1) |
TC = 25°C |
Paladio |
113,6 |
W |
|
|
Corriente pulsada del dren |
TA = 25°C, tp =10ms |
IDM |
288 |
|
|
|
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
TJ, TSTG |
−55 a +150 |
°C |
||
|
Corriente de fuente (diodo del cuerpo) |
ES |
104 |
|
||
|
Dren a la fuente dV/dt |
dV/dt |
6 |
V/ns |
||
|
Sola energía de la avalancha de Drain−to−Source del pulso (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 Mh, RG = 25 W) |
EAS |
612,5 |
mJ |
||
|
Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan (1/8 ′ del ′ del caso para 10 s) |
TL |
260 |
°C |
||
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